本人的实验是将淀粉与道康宁的PDMS 184混合制备一个东西 对这个东西测试了XPS，分峰图中出现Si-O-C的...
9 2015-02-20 某化合物有碳、氢、氧三种元素组成,其红外光谱图有C-H键、O... 2 2012-04-18 为什么Si—O键能比C—C键键能大,但是SiO2的熔点却比金... 5 2018-05-15 有机化学中C-H键、C=O键等等,中的C是多少价 5 2015-02-08 根据键能数据估算Si(s)+O2(g)=SiO2(s)的反应... 4 ...
XPS谱图中有机物中Si-O-Si的键位
本文采用 XPS 技术,对制备的无定型 Si-C-O-N 涂层进行了相关组成元素和结合状态的分析,为后续的研究工作奠定基础。1 实验Si-C-O-N 涂层采用上海有线电厂生产的型号为JG-PF-3B 射频磁控溅射仪来沉积。衬底和靶材分别采用市售的单面抛光的 RB SiC 陶瓷和自制的无压烧结的SiC 陶瓷, 尺寸分别为Ф38mm×3mm ...
XPS and RBS investigations of Si–Er–O interactions on a Si(1 0 0) surface. S. Scalesea,S. Mirabellab,A. Terrasib. Applied Surface Science . 2003S. Scalesea,S. Mirabellab,A. Terrasib.XPS and RBS investigations of Si–Er–O interactions on a Si(1 0 0) surface. Applied Surface ...
采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si,C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-C键略有下降...
采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si、C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少; C Sp<'2>有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si... 查看全部>>...
Si基体上双层Ti—O薄膜的XPS和AES分 析研究 薄膜上再沉积同质薄膜.在膜表层一定厚度内可得到 具有化学配比的Ti02薄膜;氩离子的轰击使钛及碳氧化物内迁ASi 基体,而Si外迁到膜内并 造成多价形式的Ti氧化物共存,TiO2在这些Ti氧化物中所占的比例 髓沉积膜深度呈现先逐渐减 ...
Si-Ti-C-O纤维的XPS研究Si-Ti-C-O纤维的XPS研究 王亦菲;冯春祥;宋永才 【期刊名称】《宇航材料工艺》 【年(卷),期】1999(029)006 【摘要】运用XPS分析手段系统研究了Si-Ti-C-O纤维的组成及其结构,并与SiC纤维进行比较.讨论了引入Ti后纤维的组成与结构的变化及其与性能的关系. 【总页数】4页(P30-33) ...
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3与Si界面的电子结构。XPS结果表明,Al_2O_3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化...