N-Si、N-Al等键:位于400-403 eV范围内。 这些分峰可以通过拟合软件进行拟合和解析,得到各个峰的强度和位置,从而推断出材料中氮元素的化学环境和化学键情况。 需要注意的是,不同材料中氮元素的化学环境和化学键可能不同,因此N1s XPS的分峰情况也会有所不同。因此,在进行材料表征时,需要结合具体的实验条件和数...
符号:N 发现时间:1772年 命名起源:希腊语nitron genes 外观:无色 发现人:Daniel Rutherford 来源于:液态空气 熔点:63.05 K 沸点:77.36 K 密度[kg/m3]:1.2506 摩尔体积:13.54 × 10-6m3/mol 质子/电子:7 中子:7 壳层结构:2,5 电子构型:[He]2s22p3 ...
在XPS深度剖面分析,为了简化XPS表征,本研究使用Si片为基底(替代静电纺丝,小技巧),先使用热蒸发器以8 Å/s的速率将铜膜沉积在硅晶片上,然后将样品以3 °C/m升温至800 °C煅烧5 h形成碳层,最后将掺杂源(红磷(P)、氟化铵(NH4F)、硼酸(H3BO3)、氯化镁(MgCl2)和尿素(CH4N2O))和铜复合材料放在一起,再用快...
通常只需要考虑单质 Si。 硅化合物的 Si2p 峰分裂可忽略。 观察到两个不同的对称峰(在低通能下)或单个不对称峰(在较高通能下)。 观察到的自旋轨道分裂峰谱图的分辨率会受到元素硅的结晶度/无定形特性的影响。 结晶度越高,自旋-轨道分量的分辨率越高。
以下是一些常见元素在XPS中的灵敏度因子(以Si为参考): - C:0.69 - O:0.82 - N:0.64 - S:0.70 - P:0.87 - Al:0.92 - Fe:1.93 - Ni:1.47 - Cu:1.13 - Ag:0.85 - Au:0.82 - Pt:1.07 这些数值可以用来校正峰强度以获得元素的准确浓度。请注意,这些数值可能会因仪器型号和实验条件的不同而有所变...
案例二:上面这篇Applied Catalysis B: Environmental中,研究者采用XPS深度分析技术对橄榄石进行了表征,结果表明未经处理的橄榄石的元素组成在纵向上是均匀分布的;而将进行氧化处理后,其表面铁的含量有了明显提高,出现了深度为400nm的富铁层,且表层中Mg和Si的含量也随之下降;再对氧化后的橄榄石进行还原处理后,其表面铁...
3. Si 2p峰:如果石墨烯是在硅衬底上生长的,那么XPS光谱中可能会出现Si 2p峰。该峰一般位于100-110 eV的能量范围内。 除了上述主要峰外,还可能出现其他更弱的峰,如Cu 2p(如果使用铜衬底)或N 1s(如果存在氮掺杂)。需要注意的是,由于样品的准备、表面氧化以及染料残留等因素,实际的XPS光谱中可能会出现一些杂散...
摘要: 作者曾报道了1-乙烯基杂氮硅三环化合物结构的XPS研究,证实了分子中N→Si配位键的存在[1];在另文中还研究了这类化合物分子中不同取代基R对N→Si配位键强度的影响并做了EHMO(广义Hückel分子轨道)理论计算处理,计算结果能很好地预言N→Si配位键的强度[2].DOI: 10.1360/csb1982-27-9...
如题 谢谢大家的帮助！
N1s---Si3N4===397.5ev N1s---AlN===396.4ev inpowerlov 哎 楼上的AlN中的N1s 给的不准确啊 tof-sims Originally posted by inpowerlov at 2010-06-30 11:34:07:哎 楼上的AlN中的N1s 给的不准确啊 不同的仪器能量的标定有些稍微的不同是很正常的,如果当你把C1s定位284.6eV时,产生的结果就跟...