结合XRD和XPS结果分析,通过简单混入Li4.4Si的方式制备Li4.4Si-nSi负极,Li4.4Si与nSi负极在浆料涂覆过程中不可避免存在一定的相互作用,但Li4.4Si与nSi反应程度相对较弱,一方面可缓解不可逆Li-Si-O键生成导致的Li+损失,同时在后续长循环过...
XPS 谱图解读 Si2p 峰具有间隔很小的自旋轨道分裂峰 (Δ=0.63eV) 通常只需要考虑单质 Si。 硅化合物的 Si2p 峰分裂可忽略。 观察到两个不同的对称峰(在低通能下)或单个不对称峰(在较高通能下)。 观察到的自旋轨道分裂峰谱图的分辨率会受到元素硅的结晶度/无定形特性的...
然后通过热解蒸发Zn,并将Si 渗透到 ZIF-8 骨架中,得到单原子Ni通过与N和Si原子配位固定在碳骨架上的Ni-SiNC电催化剂。进一步通过XPS和XAFS分析了Ni-SiNC的化学态和配位结构,第一壳层的扩张表明引入的Si配体可以直接调节中心Ni配位的几何结构,同时Ni...
与XPS结果类似,无论使用何种电解质,正极光谱都表现出相似的特征,而Si负极则表现出明显的峰。这样的观察表明,负极侧的添加剂分解更严重,对整体电池性能的影响更大。在原始Si电极上,在1722 cm-1和1355 cm-1处观察到的两个峰可分别归因于来自聚酰亚胺粘合剂的C=O和C-N键,这与XPS结果一致(图6)。而对于 循环样...
此外，研究团队也基于X射线光电子能谱（XPS）及紫外光电子能谱（UPS）对Si掺杂Ga2O3薄膜表面电子性质进行了研究，发现β-Ga2O3表面具有超过0.35 eV向上的能带弯曲，阻碍了欧姆接触的形成。另一方面，Ga2O3薄膜表面约为3.3 eV的低功函数使其有望成为深紫外LED中的高效电子注入材料。 图3. (a) Si:Ga2O3电极...
Xps 表征表明 N 相关功能组已悬挂在要键合的表面上。这已被证明能够加强直接键合界面。由于键合强度的提高，成功制造了 LiNbo3/si 的 TEM 样品。首次披露了 LiNbo3/si 键合界面的原子结构。此外，界面厚度为 6.4 纳米，有利于 LiNbo3 基纳米流体中精确的纳米间隙控制。作为应用，我们设计和制造了基于 LiNbo3/si...
本文采用 XPS 技术,对制备的无定型 Si-C-O-N 涂层进行了相关组成元素和结合状态的分析,为后续的研究工作奠定基础。1 实验Si-C-O-N 涂层采用上海有线电厂生产的型号为JG-PF-3B 射频磁控溅射仪来沉积。衬底和靶材分别采用市售的单面抛光的 RB SiC 陶瓷和自制的无压烧结的SiC 陶瓷, 尺寸分别为Ф38mm×3mm ...
XPS ( X 射线光电子谱)测试的结果可直 接用于界面研究O XPS 对界面组成以及原子浓度 随溅射深度和温度变化的结果与 IR 分析结果是相 互印证的O 2 实验 2.1 键合过程 实验采用的硅片为掺 S 的 n 型 4 英寸的( 100 ) 硅片9电阻率在 3~5 cm 之间9晶片厚度在 250 m 左右O键合之前先用甲苯\丙酮\乙醇...
镍样品架的温度可以控制在100-1000K。在每次实验之前,样品被加热到900K,以去除所有剩余的氟。为了验证样品没有被样品架上的镍污染,一些样品在实验结束后被转移到不同的装置中,并进行俄歇和XPS分析。没有发现镍或任何其他金属的痕迹,这表明污染物的影响可以忽略不计。
这些第一个电池的 n-TOPCon 结构是通过在 HNO 3中生长薄的界面氧化物,沉积磷掺杂的富硅 SiC x通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)、800–900°C 的热退火和氢钝化步骤形成层。热退火导致掺杂剂扩散到晶体硅吸收体中。 在模拟中显示,体中的轻微掺杂分布有利于多数载流子在隧道氧化物上的传输。因此,应该注意的...