Serie XPS: Carcasa hermética en PVDF inmune a los productos químicos EchoMax XPS La serie XPS ofrece versiones para rangos de medición hasta 30 m (100 ft) y temperaturas hasta 95 °C (203 °F) - Medición continua de nivel - Transmisores por radar P_FI01_XX_05584 SITRANS LR...
为了了解选择性,使用 X 射线光电子能谱 (XPS) 测量选定试样上的 N 1s 光谱。 图1. (a) 用 SE 测量未经处理的天然 SiO2(实心三角形)上 SiN 厚度与 200°C 下 ALD 循环次数的关系,用 XRF 测量蓝宝石(空心三角形)上 SiN 厚度与 200°C 下 ALD 循环次数的关系。(b) 未经处理的天然 SiO2 上 SiI4 ...
A SiNx:H thin film was deposited on the Parylene C layer and characterized by XPS measurements. An Auger study of the SiNx:H film/Parylene C interface also revealed a chlorine excess in the interfacial region induced by heating the SiNx:H-Parylene C multilayer. However, after 200 h heating...
sinx*cosx=1/2sin（2x）sin(90-x)×cos(x)=sin（x-90）*cosx=cosx*cosx=cos^2x PS：^2代表平方的意思 sin(90-X)=cos(x)所以原式等于的cos(x)平方sin2α＝2sinαcosα因此sinx*cosx=1/2sin(2X)因为sin2x的范围是【-1，1】（看正弦函数的波形）因此1/2sin（2x）的范围是【-1/2...
Dell XPS (15”) La laptop XPS 15 tiene el equilibrio perfecto entre potencia y portabilidad, además ofrece funciones visuales asombrosas, junto con un sonido increíble. Los gráficos Intel® Arc™ A370M te permiten importar, editar y publicar videos completamente en 8K. Comprar ahora ...
【解析】 试题分析:(1)利用pcos=xps血=y,即可将极坐标方程化为平面直角坐标系方程;消去参数即 可将圆的参数方程化为普通方程;()运用普通方程,并利用圆心到直线的距离减去半径即得最小值。 试题解析:(1)由pcos+ =42,展开为p(2cos-2sin)=42,化为x-y-8=0; x=1+√2cos0 (2)圆A的 (日是...
{"4igIJbKqUK1MwOdKD+shxQ==":false,"LU+QxPS0Zt4qEgKtesSw4A==":{id:"98a07dcd4d5a44eb7952b3dabc0a902b",title:"不求值,比较下列各对三角函数值的大小:(1)cos(-π7),cos(-π3);(2)sin4π5,sin2π7;(3)cos2π5,sin2π5.",content:"\u003Cspan class=\"qseq\"\u003E...
Alienware, Inspiron, OptiPlex All-In-One, OptiPlex Micro, OptiPlex Small Form Factor, OptiPlex Tower, OptiPlex Ultra, XE Series, Vostro, XPS, G Series, G Series, Alienware, Inspiron, 3000 Series, 5000 Series, 7000 Series, 9000 Series, Rugged Laptops......
图7A-CrS/HC-CoS2、HER反应后,OER反应后的(a) Co 2p , (b) Cr 2p 和 (c) S 2p XPS 光谱。A-CrS/HC-CoS2HER反应后的 (d) TEM. (e, f) HRTEM images 和 (g) EDS mapping。A-CrS/HC-CoS2OER反应后的 (h)TEM, (i, j) HRTEM images and (k) EDS mapping。
采用等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体,p型单晶硅为衬底,低温下(200℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜.在N_2氛围中,于500-1100℃范围内对薄膜进行热退火处理.室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiN... 查看全部>> ...