测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。? 预夹断临界点可变电阻区饱和区(恒流区、放大工作区)截止区 相关知识点: 试题来源: 解析 饱和区(恒流区、放大工作区)
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百度试题 题目增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V,漏源电压为VDS=1.5V,阈值电压为VTN=1V,则NMOS管工作在 。A.非饱和区B.截止区C.饱和区D.线性区 相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
Question: ) Find VGS, Vov, VDS and region of operation of NMOS transistor with threshold voltage ( Vtn = 1V) whena) Vs = 2 V, VG = 2 V and VD = 2 V b) Vs = -2 V, VG = 0 V ...
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=-3V,VGS=-2V,VTP=-1V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。 A、恒流区(饱和区、放大工作区) B、可变电阻区 C、预夹断临界点 D、截止区 点击查看答案 第2题 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为...
增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V,漏源电压为VDS=1.5V,阈值电压为VTN=1V,则NMOS管工作在 。A.非饱和区B.截止区C.饱和区D.线性区的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。 A、饱和区(恒流区、放大工作区) B、可变电阻区 C、预夹断临界点 D、截止区 点击查看答案 第6题 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-1V,VPN=-2V;其中VPN为耗...
测量某MOSFET的漏源电压VDS=3V、栅源电压VGS=1V、VTN=2V,则该管子工作在:___A.截止区B.可变电阻区C.饱和区D.不确定的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。A.饱和区(恒流区、放