在探讨N沟道增强型场效应管（MOS）的工作特性时，我们常常关注其关键参数，如Vgs（栅源电压）、Ig（栅极电流）、Vds（漏源电压）和Id（漏极电流）的波形。这些波形不仅揭示了MOS管的工作状态，还为我们理解和优化电路性能提供了关键信息。当驱动芯片发出方波驱动脉冲至高电平状态时，由于寄生电容Cgs的存在，其两端的...
当Vgs小于阈值电压Vth时,MOSFET处于截止状态,此时无论Vds如何变化,漏极电流Id都极小或为零。 当Vgs大于Vth时,MOSFET开始导通,漏极电流Id随着Vds的增大而增大。但这一增长并非无限制的,具体取决于MOSFET的工作区域。 工作区域: 线性区:当Vds较小时,MOSFET处于线性区。在此区域内,Id与Vds成正比,MOSFET可以看作是一...
一、首先进行ID-VDS曲线的仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“W”和“L”。 然后对vds进行扫描,观察id的变化,具体操作如下图 2、然后设置仿真环境。 3、仿真结果: 二、ID_VGS曲线仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“...
一、首先进行ID-VDS曲线的仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“W”和“L”。 然后对vds进行扫描,观察id的变化,具体操作如下图 2、然后设置仿真环境。 3、仿真结果: 二、ID_VGS曲线仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“...
门-源电压VGS的任何变化都会改变反转层的电子密度，以这种方式，VGS的变化也可以控制器件电流。由于这个...
VDS：漏极-源极电压，即MOSFET工作时漏极和源极之间的电压（最大承受）。VGS：栅极-源极电压，即MOSFET工作时栅极和源极之间的电压（最大承受）。ID：漏极电流（漏极可承受的持续电流值），即MOSFET工作时从漏极流出的电流，如果流过的电流超过该值，会产生击穿的风险。IDM：最大脉冲漏极电流（源漏之间可承受...
恒流区 （饱和区）：当VDS>VGS-Vth(即VGD<Vth)时，MOS管进入恒流区，在此工作区内，VDS增大时，ID...
方法/步骤 1 打开仿真软件，画出逻辑图。从下图可以看出，ID是随着vds的增大而增大的。其实这就是我们知道的Early 效应。2 当VDS增加时，衬底也是有电流的。如下图所示 3 其实栅端也是有电流的，在低频时通常可以认为栅端是开路的。4 一般情况下，IDS只考虑与VGS与VDS的关系。5 当VDS固定时，IDS与VGS成比例...
本篇主要介绍绝对最大额定值相关的参数。主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、TJ、TSTG几个参数,参数列表如下所示 1、漏-源极电压(VDS) VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压,在管子工作时,这两端的电压应力不能超过最大值。在MOSFET选型时,VDS电压都要降额80%选用。
漏源导电阻，表示MOS管在一定条件下导通时，泄漏极之间的导通电阻。这个参数和MOS管结温，驱动电压Vgs相关。在一定范围内，结温越高，Rds驱动电压越高，Rds越小。Id 漏极电流通常有几种不同的描述方法。根据工作电流的形式，连续泄漏电流和一定脉宽的脉冲泄漏电流(Pulsed drain current)。这个参数同样是MOS管一个极限...