在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs(栅极-源极电压):这是施加在MOSFET栅极和源极之间的电压。它决定了MOSFET的导通与截止状态。对于NMOS而言,当Vgs大于阈值电压Vth时,MOSFET导通;而对于PMOS,情况则相反,当...
VGS是指MOSFET的栅极（G）与源极（S）之间的电压。它是控制MOSFET导通与截止的关键参数。对于N沟道增强型MOSFET，当VGS大于开启电压（Vth）时，MOSFET导通；当VGS小于Vth时，MOSFET截止。开启电压Vth是MOSFET开始导通的最小VGS值，不同的MOSFET型号，其Vth值不同，一般在1V至4V之间。应用场景的重要性 开关电源中的...
在选型时，VDS的考虑主要包括： 最大漏源电压（VDS_max）：这是MOSFET能够承受的最大漏源电压。如果VDS超过此值，可能会导致MOSFET击穿。 工作VDS：在实际应用中，VDS应低于VDS_max，以留有足够的安全裕量，防止在瞬态条件下MOSFET损坏。MOSFET选型的其他考虑因素 除了VGS和VDS，MOSFET的选型还应考虑以下因素...
VDS：漏极-源极电压，即MOSFET工作时漏极和源极之间的电压（最大承受）。VGS：栅极-源极电压，即MOSFET工作时栅极和源极之间的电压（最大承受）。ID：漏极电流（漏极可承受的持续电流值），即MOSFET工作时从漏极流出的电流，如果流过的电流超过该值，会产生击穿的风险。IDM：最大脉冲漏极电流（源漏之间可承受...
VGS是指MOSFET的栅-源极的工作驱动电压,在工作中,这两端的电压不能超过最大值。注:这里的±20V代表的是VGS电压可以使用正电压导通,负电压关断。一般MOS采用0电压就可以关断,负电压为了提高关断的可靠性。IGBT虽与MOS类似,但是IGBT明确了要使用负电压进行关断。
VGS是栅极阈值电压,指MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。VDS(虚拟专用服务器)是一种通过虚拟化技术将物理服务器划分为多个独立的虚拟服务器的解决方案。 VGS和VDS是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的两个重要电压参数,它们在电路设计和分析中起着至关重要的作用,服务器vds则指的是虚拟专用服务器(Virtual De...
你可以这么理解,当VDS大于VOD(即VGS-VTH)时,多出来的电压(VDS-VGS+VTH)加在了耗尽层(ΔL)那一段上,VOD电压加在反型层上,沟道长度变短成为(L-ΔL),对于比较长的沟道,ΔL相对于L可以忽略,所以说当VDS>VOD后,电流基本不变。对于短沟道或者说你想考虑沟道长度调制(即考虑输出电阻有限),ΔL相对于L不能忽略...
MOSFET的寄生电容与温度的关系 MOSFET的VGS(th)(界限値) 按照定义,为VGS(th)(界限值)是MOSFET开启时,GS(栅极、源极)间需要的电压。这表示,当输入界限值以上的电压时,MOSFET为开启状态。为了通过绝大部分电流,需要比较大的栅极电压。 那么,MOSFET在开启状态时能通过多少电流?针对每个元件,在规格书的电气特性栏里...
MOS管在ON状态时工作于线性区（相当于三极管的饱和区），与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的情况下，导通阻抗Rds基本保持不变，所以MOS管采用Rds方式。电流可以双向流过 MOSFET的D和S ，正是MOSFET这个突出的优点，让同步整流中没有DCM...
Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET可能工作在欧姆区（线性区）、饱和区（或活动区）等。Vth（门槛电压/Threshold Voltage）是使MOSFET从截止区转换到导通区所需的最小Vgs值。增强型MOSFET在Vgs大于Vth时开始导电；耗尽型MOSFET...