变阻区:当Vgs > Vth且Vds < Vgs - Vth时,MOS管工作在变阻区。此时沟道是“畅通”的,相当于一个导体,且近似满足V-I的线性关系,即有一个近似固定的阻值。此阻值受Vgs控制。 三、Vgs、Vth与Vds的综合关系 公式表示:虽然有一个公式VGS = VTH + Vds,但在实际应用中,我们更关注Vgs与Vth之间的关系,因为这直...
Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET...
在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs(栅极-源极电压):这是施加在MOSFET栅极和源极之间的电压。它决定了MOSFET的导通与截止状态。对于NMOS而言,当Vgs大于阈值电压Vth时,MOSFET导通;而对于PMOS,情况则相反,当...
VGS是指MOSFET的栅极（G）与源极（S）之间的电压。它是控制MOSFET导通与截止的关键参数。对于N沟道增强型MOSFET，当VGS大于开启电压（Vth）时，MOSFET导通；当VGS小于Vth时，MOSFET截止。开启电压Vth是MOSFET开始导通的最小VGS值，不同的MOSFET型号，其Vth值不同，一般在1V至4V之间。应用场景的重要性 开关电源中的...
首先是Vgs>Vth,将衬底中的空穴被向下排斥,衬底中的少子(电子)被向上吸引,形成反型层,产生N型导电沟道。接着是Vds<=Vgs-Vth,由于Vds的存在,沟道会变成梯度,两端的宽度不均匀。满足这两个条件,MOS管才处于可变电阻区。 这上面的过程描述的有些简单粗暴,如果要考虑“Rdson和Vgs的关系”,这还不够,需要把上述过程...
Vdsat=Vgs-Vth的公式在描述MOSFET的线性区与饱和区分界点时存在局限性，尤其是对于短沟道器件和FINFET器件，误差较大。实际Vdsat值通常小于此数值。沟道夹断模型指出，当Vds大于等于Vgs-Vth时，Vgd小于Vth，漏端形成反型层，沟道在漏端发生夹断。这时，由于夹断区场强很大，即使没有沟道，载流子也会被...
理解VGS（栅源电压）VGS是MOSFET栅极与源极之间的电压差，它直接影响MOSFET的导通状态。在MOSFET选型时，VGS的考虑主要包括： 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开始导通的最小VGS值。选择时，应确保工作电压高于阈值电压，以保证MOSFET在预期的工作条件下能够正常导通。 最大栅源电压（VGS_max）：这是MOSFET能够承受...
恒流区 （饱和区）：当VDS>VGS-Vth(即VGD<Vth)时，MOS管进入恒流区，在此工作区内，VDS增大时，ID...
PMOS晶体管的饱和条件为VGS ≤ Vth(阈值电压,通常为负值),此时漏极电流主要受VGS控制,而VDS对电流的影响相对较小。在饱和区内,VDS的增加会导致电流略微上升,这源于沟道长度调制效应。具体关系可通过电流公式和电场变化规律进一步分析。1. PMOS的饱和条件PMOS进入饱和区的核心条...
当vds增大到超过vgs-vth时，漏端与栅极的电压差小于一个vth，此时沟道夹断，因此这一点也称为夹断点。