公司回答表示：公司碳化硅量产衬底片的核心位错可以稳定实现TSD＜100个/cm²，BPD＜400个/cm²，达到行业领先水平。本文源自：金融界AI电报 作者：公告君
BPD(Basal Plane Dislocation)也是碳化硅衬底中的一种位错类型,它是绕着碳化硅晶体的基平面(0001)方向滑移产生的。这种位错类型在碳化硅晶体生长过程中产生,并沿着基平面方向延伸。TED(Etch Pileup Dislocation)是一种在碳化硅衬底表面形成的位错类型,它会在碳化硅衬底的某些区域形成突起或“堆”,从而影响衬底的平整度和...
应力和BPD,TED,TSD是挂钩的,所以一套6寸工艺能做MOS的,放到8寸可能只能做SBD了,所以8寸比6寸晚了10年,15年出的样片24年都不能量产,如果一个萨比公司比如三安,6寸时代MOS都做不了只能做SBD,那8寸连个SBD都做不了//@RICH资讯:回复@三毛一安无冤魂:6和8寸,只是性价比问题,非关键的技术问题...
[0024] 在进行4H‑SiC漂移层生长之前生长一层高质量低位错密度的4H‑SiC缓冲层Ⅱ,用 来屏蔽TSD缺陷以及BPD、TED缺陷,可提高后续生长的4H‑SiC漂移层的质量。 [0025] 2、本发明在4H‑SiC衬底上生长6H‑SiC缓冲层时,由于4H‑SiC(0001)Si面可生长 6H‑SiC;而且在富Si的条件下,6H‑SiC有着更低的...
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_小熊会来彩虹岛看月亮 22-08-13 22:28 发布于 河南 来自 iPhone客户端 分享图片 2周口 û收藏 转发 评论 ñ赞 评论 o p 同时转发到我的微博 按热度 按时间 正在加载,请稍候...Ü 简介: 这个号是用来记录生活的😋 更多a 微关系 她的关注(37) -水蛋蛋- 微博...
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