BPD(Basal Plane Dislocation)也是碳化硅衬底中的一种位错类型,它是绕着碳化硅晶体的基平面(0001)方向滑移产生的。这种位错类型在碳化硅晶体生长过程中产生,并沿着基平面方向延伸。TED(Etch Pileup Dislocation)是一种在碳化硅衬底表面形成的位错类型,它会在碳化硅衬底的某些区域形成突起或“堆”,从而影响衬底的平整度和...
应力和BPD,TED,TSD是挂钩的,所以一套6寸工艺能做MOS的,放到8寸可能只能做SBD了,所以8寸比6寸晚了10年,15年出的样片24年都不能量产,如果一个萨比公司比如三安,6寸时代MOS都做不了只能做SBD,那8寸连个SBD都做不了//@RICH资讯:回复@三毛一安无冤魂:6和8寸,只是性价比问题,非关键的技术问题...
[0024] 在进行4H‑SiC漂移层生长之前生长一层高质量低位错密度的4H‑SiC缓冲层Ⅱ,用 来屏蔽TSD缺陷以及BPD、TED缺陷,可提高后续生长的4H‑SiC漂移层的质量。 [0025] 2、本发明在4H‑SiC衬底上生长6H‑SiC缓冲层时,由于4H‑SiC(0001)Si面可生长 6H‑SiC;而且在富Si的条件下,6H‑SiC有着更低的...