东微半导近期接受投资者调研时称,报告期内,公司持续进行新技术开发工作,遵循公司技术路线图稳步推进各项技术迭代,在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品领域积极进行新一代技术开发,有序推进产品从8英寸转12英寸的工艺平台拓展工作,进展顺利。在TGBT产品领域,公司加强对自有知识产权技术Tri-gateIGBT技术研发力...
谢谢 东微半导(688261.SH)4月26日在投资者互动平台表示,公司的TGBT产品是一种采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品,区别于国际主流IGBT产品,在不提高制造难度的前提下提升了功率密度,优化了内部载流子分布,调整了电场与电荷的分布,优化了导通损耗与开关损耗,具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护...
东微半导(688261.SH)4月26日在投资者互动平台表示,公司的IGBT产品(Tri-gate IGBT,即TGBT产品)可用于光伏逆变器。
东微半导4月19日公告，2022年营收11.16亿元，同比增长42.74%；归母净利润2.84亿元，同比增长93.57%；基本每股收益4.31元；公司拟每10转4派14.76元。公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入9.14亿元，较2021年同期增长60.77%；公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入1.56亿元；公司Tri-gateIGBT产品报告...
IGBT thermal resistance, junction-case RθJC 0.38 °C/W Diode thermal resistance, junction-case RθJC 0.38 °C/W Thermal resistance, junction-ambient4) RθJA 40 °C/W Electrical Characteristics at Tvj=25°C unless otherwise specified ...
东微半导4月19日公告,2022年营收11.16亿元,同比增长42.74%;归母净利润2.84亿元,同比增长93.57%;基本每股收益4.31元;公司拟每10转4派14.76元。 公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入9.14亿元,较2021年同期增长60.77%;公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入1.56亿元;公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入4461...
东微半导(688261.SH)4月26日在投资者互动平台表示,公司的TGBT产品是一种采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品,区别于国际主流IGBT产品,在不提高制造难度的前提下提升了功率密度,优化了内部载流子分布,调整了电场与电荷的分布,优化了导通损耗与开关损耗,具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护、低...
Innovative designs, such as the insulated gate bipolar transistor (IGBT), have been developed which use conductivity modulation through the injection of minority carriers to reduce on-resistance. But the involvement of minority carriers gives rise to stored charge and a turn-off delay, dramatically ...
A TI-IGBT comprises a first semiconductor substrate, a second semiconductor substrate and a first doping layer. A short circuit region and a collector region which are arranged in parallel are formed in the first semiconductor substrate, and the short circuit region and the collector region are ...
东微半导(688261.SH)4月26日在投资者互动平台表示,公司的TGBT产品是一种采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品,区别于国际主流IGBT产品,在不提高制造难度的前提下提升了功率密度,优化了内部载流子分布,调整了电场与电荷的分布,优化了导通损耗与开关损耗,具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护、低...