STW26NM60NW26NM60N 26A 600V TO-247 全新大功率MOS场效应管 苏友城12年 月均发货速度:暂无记录 广东 汕头市潮南区 ¥6.50 全新原装STW26NM60N26NM60N 直插TO-247 MOS场效应管 20A 600V 深圳市珺麟电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
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STW26NM60N ST Microelectronics (意法半导体) MOS管 STMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V查看详情 TO-247-3 18周 在产 2003年 ¥4.732 数据手册(14) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (10)...
型号: STW26NM60N 批号: 2019+ 封装: TO-247 数量: 5000 QQ: 996505668 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 20 A Rds On-漏源...
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STW26NM60N - N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、20 A MDmesh II功率MOSFET,TO-247封装, STW26NM60N, STMicroelectronics
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 STW26NM60N、 ST/意法半导体、 NA 商品图片 商品参数 品牌: ST/意法半导体 封装: NA 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 通道数量: ...
系列: STW26NM60N 晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET 宽度: 5.15 mm 下降时间: 50 ns 上升时间: 25 ns 典型关闭延迟时间: 85 ns 典型接通延迟时间: 13 ns 单位重量: 38 g 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所...
STW26NM60N由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STW26NM60N价格参考￥7.23。ST(意法半导体) STW26NM60N参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):20A;导通电阻(RDS(on)):165mΩ@10V,10A;耗散功率(Pd):140W;阈值电压(Vgs(th)):3V;