二、参数特点: - 高耐压能力:STW26NM60N具有600V的高耐压能力,这使其能够在高压环境下稳定工作,适合应用于需要高压开关的电路中。 - 低导通电阻:其典型的导通电阻仅为0.15Ω,低导通电阻意味着更低的导通损耗,提高了整体电路的效率,减少了发热。 - 高电流处理能力:STW26NM60N能够处理高达26A的电流,这使其在需要处...
本公司生产销售稳压芯片 放大器 稳压芯片,提供稳压芯片专业参数,稳压芯片价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.稳压芯片 稳压芯片 品牌ST|产地广东|价格1.50元|型号STW26NM60N|批号23+|封装NA|宽度1.8mm|高度1.3mm|工作温度80c|电压范围-40v|输出电流20A|最小包装量20
型号 STW26NM60N IPW60R165CP 唯样编号 E-STW26NM60N A-IPW60R165CP 制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies 供应商 欧时电子 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3 数据表 STW26NM60N.pdf IPW60R165CP.pdf...
STW26NM60N 认证现货 厂商:ST 封装/批号:TO-247/2051 库存:17596 说明:原厂授权渠道,现货,产品可追溯 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 包装:30/管件 漏源电压(Vdss):600V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 工作温度:150°C(TJ)
STW26NM60N认证现货厂商: ST 封装/批号: TO-247/24+ 库存: 40000 说明: 一律进口原装,假一罚十,实单请详询 描述: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 包装: 30/管件 漏源电压(Vdss):600V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 工作温度:150°C(TJ)...
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