品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号STH260N6F6-2-VB 商品编号C19626745 商品封装TO-263 包装方式 管装 商品毛重 1.6克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 80V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 215A 导通电阻(RDS(on)) 5mΩ...
类似零件编号 - STH260N6F6-2 制造商部件名数据表功能描述 STMicroelectronicsSTH260N6F6-6 817Kb/13PVery low on-resistance March 2014 Rev 2 Inchange Semiconductor ...STH260N6F6-6 389Kb/4PN-Channel Power MOSFET More results Stmicroelectronics是位于瑞士日内瓦的跨国电子和半导体制造商。
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STH260N6F6-2-STMICROELECTRONICS-晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V. 现在就预定 STH260N6F6-2! 质优价廉, 发货迅速的 STMICROELECTRONICS 现货产品。
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STH260N6F6-2 - N沟道60 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F6功率MOSFET,H2PAK-2封装, STH260N6F6-2, STMicroelectronics
STH260N6F6-2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:STH260N6F6-2 原始制造厂商:ST(意法半导体) 技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询STH260N6F6-2的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
商品型号:STH260N6F6-2 产品状态:在售 封装规格:H2PAK 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103212934 商品参数 近似物料 选型手册 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 ST(意法半导体) 封装规格 H2PAK 包装 整包装 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 25℃时电流-连续漏极(Id) 180A(...
STH260N6F6-2 - N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package, STH260N6F6-2, STMicroelectronics