型号 STH260N6F6-2 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: STH260N6F6-2 封装: H2PAK-2 批号: 23+ 数量: 16500 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-2 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 75 V Id-连续漏极...
器件封装:H2Pak-2 STH260N6F6-2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:STH260N6F6-2 原始制造厂商:ST(意法半导体) 技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询STH260N6F6-2的技术规格手册Datasheet(PDF文件) 全球现货资源整...
功率- 最大值:300W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:H?PAK 专业从事代理分销ST意法半导体STH260N6F6-2,常备STH260N6F6-2大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.更多功能相关的ST意法半导体产品 STH275N8F7-6AG STH240N75F3-6 STH290N4F6-6 STH...
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STH260N6F6-2 - N沟道60 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F6功率MOSFET,H2PAK-2封装, STH260N6F6-2, STMicroelectronics
STH260N6F6-2 Type Bipolar Transistor Brand Name Original brand Package Type Surface Mount Other attributes Mounting Type SMD Description standard Place of Origin Guangdong, China Package / Case TO-263 Type standard Operating Temperature standard ...
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系列 STH260N6F6-2 晶体管类型 1 N-Channel 下降时间 62.6 ns 上升时间 165 ns 单位重量 4 g 可售卖地 全国 型号 STH260N6F6-2 PDF资料 电子管-场效应管-STH260N6F6-2-ST/意法半导体-H2PAK-2-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况...
型号: STH260N6F6-2 封装: SO-8 批号: 22+ 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-2 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 75 V Id-连续漏极电流: 120 A Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms Vgs - ...