型号 STW42N60M2-EP 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: STW42N60M2-EP 封装: TO-247-3 批号: 23+ 数量: 16500 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id...
产品范围 MDmesh M2 MSL MSL 1 -无限制 技术文档 (2) Technical Data Sheet EN Product Change Notice EN STW42N60M2-EP 的替代之选 找到1 件产品 STW43N60DM2功率场效应管, MOSFET, Mdmesh DM2, N通道, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-247, 通孔 STMICROELECTRONICS Information unavailab...
Key attributesSamplesKnow your supplierProduct descriptions from the supplierDiscounted Quotation STW42N60M2-EP 600V 34A 250W 87m@17A,10V 4.75V@250uA 1PCSNChannel TO-247-3 MOSFETs ROHS STW42N60M2-EP No reviews yet Shenzhen Zhixinheng Technology Co., Ltd.2 yrsCN Previous slideNext slide...
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型号 STW42N60M2-EP PDF资料 电子管-场效应管-STW42N60M2-EP-ST/意法半导体-TO-247-3-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在...
型号 STW42N60M2-EP 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: STW42N60M2-EP 封装: TO-247-4 批号: 22+ 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: ...
型号 STW42N60M2-EP 产品详情 技术参数 品牌: ST 型号: STW42N60M2-EP 批号: 19+ 封装: TO-247 数量: 585458 QQ: 876162436 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击...
型号 STW42N60M2-EP PDF资料 电子管-场效应管-STW42N60M2-EP-ST/意法半导体-TO-247-3-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱...
系列 STW42N60M2-EP 下降时间 8 ns 上升时间 9.5 ns 典型关闭延迟时间 96.5 ns 典型接通延迟时间 16.5 ns 单位重量 38 g 可售卖地 全国 型号 STW42N60M2-EP PDF资料 电子管-场效应管-STW42N60M2-EP-ST/意法半导体-TO-247-3-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的...