STT-MRAM作为第二代磁性存储器，其基于自旋电流实现信息写入的技术，为数据存储领域带来了革新。其核心组件磁隧道结（MTJ）的构造独特，由两层不同厚度的铁磁层以及一层极薄的非磁性隔离层组成，实现了高效的数据存储与读取。STT-MRAM凭借其非易失性、高速读写能力、高存储密度、低功耗以及出色的抗辐射性能等特点，...
STT-MRAM 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器 MRAM 的二代产品。它的核心仍然是一个由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成的磁隧道结（MTJ）。STT-MRAM 具有以下特点：- 非易失性：即使电源关闭，数据也能保留。- 高速读写：读写速度快，可与 S...
写在最前面,写下这篇文章的机缘是因为被派了一个写STT-MRAM教材的活,然而因为本人才研一,知识非常浅薄,对于这种重任深感无力。为了尽可能写出一本好“教材”,我在经过思想斗争后决定直接翻译国外的一本书《In…
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT-MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度,1M个循环的写入耐久性,在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。 ULL 22nm STT-MRAM的动机 与闪存相比,TSMC的嵌入式STT-MRAM具有明显的优势。闪存需要12个或更多额外的掩模,只能在硅基板上实现,并...
STT-MRAM是一种电阻存储技术,其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲,每个单元由两个磁体组成:一个是固定的,另一个是可以翻转的。当磁体彼此平行时,电阻低。当第二个磁铁反转方向时,电阻很高。 由于磁性隧道结(MTJ)器件能够通过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端(BEOL)互连层,因此ST...
MRAM结合了SRAM的高速读写能力和DRAM的高集成度，具有非易失性且可无限次重复写入，为存储器技术的发展带来了新的可能性。它起源于对巨磁阻效应（GMR）的研究，而STT-MRAM则在20世纪提出了自旋转移力矩的概念，显著提升了性能。▍ MRAM技术的起源与早期进展 MRAM于1984年由Albert Fert和Peter Grünberg的巨磁阻效应...
STT-MRAM是一种电阻存储技术,其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲,每个单元由两个磁体组成:一个是固定的,另一个是可以翻转的。当磁体彼此平行时,电阻低。当第二个磁铁反转方向时,电阻很高。 由于磁性隧道结(MTJ)器件能够通过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端(BEOL)互连层,因此ST...
STT-MRAM是一种先进的磁阻，它利用电子自旋的磁性在半导体中提供非易失性。MRAM代表磁阻随机存取存储器，是一种使用磁状态而不是DRAM等设备使用的电荷来存储数据位的方法。 STT-MRAM由三星电子公司的代工厂制造，得益于三星代工厂的28纳米FD-SOI工艺，Netsol MRAM拥有低功耗和更紧凑的尺寸。大规模生产STT-MRAM，...
STT-MRAM (also called STT-RAM or sometimes ST-MRAM and ST-RAM) is an advanced type of MRAM devices. STT-MRAM enables higher densities, low power consumption and reduced cost compared to regular (so-called Toggle MRAM) devices. The main advantage of STT-M
STT-MRAM是一种电阻存储技术,其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲,每个单元由两个磁体组成:一个是固定的,另一个是可以翻转的。当磁体彼此平行时,电阻低。当第二个磁铁反转方向时,电阻很高。 由于磁性隧道结(MTJ)器件能够通过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端(BEOL)互连层,因此ST...