而STT-MRAM在后段(BEOL)金属层中实现,如图1所示,仅需要2-5个额外的掩模,并且可以字节模式写入。 该STT-MRAM基于台积电的22nm ULL (Ultra-Low-Leakage)CMOS工艺平台,具有10ns的极高读取速度,读取功率为0.8mA /MHz/bit。对于32Mb数据,它具有100K个循环的写入耐久性,对于1Mb数据,具有1M个循环的耐久性。它支持在26...
中国科学院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过 3 年的攻关,在 STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内首次采用可兼容 CMOS 工艺成功制备出直径 80nm 的磁隧道结,器件性能良好,其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到 92%,可实现纯电流翻转且电流密度达到...
同时,STT-MRAM具有重要的军事应用,在抗恶劣环境高性能计算机、军用卫星、导弹、火箭、航天飞行器控制和数据存储系统中都需要具有超高密度、超大容量、超低能耗、随机存储、非易失性、结构简单、抗辐照能力强等优点的存储器系统,这些特性STT-MRAM都具备。
STT-MRAM 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器 MRAM 的二代产品。它的核心仍然是一个由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成的磁隧道结（MTJ）。STT-MRAM 具有以下特点：- 非易失性：即使电源关闭，数据也能保留。- 高速读写：读写速度快，可与 ...
MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息存在的问题。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ(磁性隧道结),由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是...
STT-MRAM作为第二代磁性存储器，其基于自旋电流实现信息写入的技术，为数据存储领域带来了革新。其核心组件磁隧道结（MTJ）的构造独特，由两层不同厚度的铁磁层以及一层极薄的非磁性隔离层组成，实现了高效的数据存储与读取。STT-MRAM凭借其非易失性、高速读写能力、高存储密度、低功耗以及出色的抗辐射性能等特点，...
STT-MRAM是一种电阻存储技术,其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲,每个单元由两个磁体组成:一个是固定的,另一个是可以翻转的。当磁体彼此平行时,电阻低。当第二个磁铁反转方向时,电阻很高。 由于磁性隧道结(MTJ)器件能够通过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端(BEOL)互连层,因此ST...
芯片制造商Netsol推出STT-MRAM STT-MRAM是一种先进的磁阻,它利用电子自旋的磁性在半导体中提供非易失性。MRAM代表磁阻随机存取存储器,是一种使用磁状态而不是DRAM等设备使用的电荷来存储数据位的方法。 STT-MRAM由三星电子公司的代工厂制造,得益于三星代工厂的28纳米FD-SOI工艺,Netsol MRAM拥有低功耗和更紧凑的尺寸...
自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）结合了非易失性、出色可扩展性与耐用性、低功耗和快速读写功能。STT写入技术通过控制通过磁性隧道结（MTJ）元件的自旋方向，改变电流方向，实现数据写入。STT-MRAM适用于未来超精细工艺生产的MRAM技术，能有效集成至FPGA、微处理器、微控制器和SoC等半导体器件中。尤其对于嵌入式...