SPI总线:STM32本身支持SPI硬件时序,本文示例代码里同时采用模拟时序和硬件时序两种方式读写W25Q64。 模拟时序更加方便移植到其他单片机,更加方便学习理解SPI时序,通用性更高,不分MCU; 硬件时序效率更高,每个MCU配置方法不同,依赖MCU硬件本身支持。 存储器件:采用华邦W25Q64 flash存储芯片。
uint16_t *writeData, uint16_t countToWrite) { uint32_t offsetAddress = startAddress - FLASH_BASE_ADDR; // 计算去掉0X08000000后的实际偏移地址 uint32_t sectorPosition = offsetAddress / SECTOR_SIZE; // 计算扇区地址,对于STM32F103VET6为0~255 uint32_t sectorStartAddress ...
stm32的内置Flash编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以32位字或16位半字宽度数据为单位,允许跨页写;写入非字或半字长数据时将导致stm32内部总线错误。 二、程序实现 flash.h 1#ifndef __FLASH_H2#define__FLASH_H3#include"stm32f10x.h"4u8 Write_Flash(u32 *buff, u8 len);5voidRead_Fl...
解锁函数:void FLASH_Unlock(void);对 FLASH 进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列,固件库函数实现很简单:只需要直接调用 FLASH_Unlock();即可。 锁定函数:void FLASH_Lock(void);有解锁当然就有上锁,为了保护Flash,读写和擦除全部需要的Flash后需要上锁,只需要调用: FL...
一、FLASH介绍 （1）硬件层面 在STM32芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上...
解锁Flash:在进行读写操作前,需要先解锁Flash。 擦除Flash:写入数据前,需要擦除目标区域。 写入数据:将数据写入Flash。 读取数据:从Flash读取数据。 锁定Flash:完成操作后,锁定Flash以保护数据。 2. Flash写入操作 以下是使用HAL库进行Flash写入的代码示例: ...
首先,stm32的flash读不限制次数,写大约100 0000次,也就是说一天对同一个地方写100次,你需要大约20年才能写坏,所以可以你可以放心大胆的写。 其次,对于flash的操作代码也储存在flash中,也就是说如果你的写块覆盖掉了你的原始代码,你的程序可能出现未知的错误。
STM32的内部Flash通常由多个扇区组成,每个扇区有不同的大小。例如,在某些型号中,扇区大小可能为1KB、2KB、4KB、16KB等。在进行读写操作时,我们需要以扇区为单位进行擦除,而可以按字节、半字(16位)或字(32位)进行写入。 2.2 读写限制 擦除操作:在写入数据之前,必须先对相应的扇区进行擦除操作,将扇区内的所有...
HAL_FLASH_Lock();//解锁内部FLASH,允许读写 HAL_FLASH_Unlock();//锁定内部FLASH,禁止非授权的操作 HAL_FLASHEx_Erase();//擦除内部FLASH HAL_FLASH_Program();//内部FLASH编程 编写内部FLASH写函数FLASH_Inside_Wr() /** * @brief 往内部FLASH写入数据 ...
【STM32F4 内部Flash的一些信息】 STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000。 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入。FLASH的擦除操作,只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。