//voidFLASH_EEPROM_Write_struct(uint32_taddr, usrflash* userinfo){uint8_ty =0;// FLASH 擦除操作 ---/HAL_FLASH_Unlock();//解锁uint32_tPageError =0;// 如果出现错误这个变量会被置为出错的FLASH地址FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;// 定义结构体EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE...
好了,到这认识到位了,接下来就可以试着操作flash,如何操作,试着把结构体当做一个数组,把结构体的地址映射成数组的地址(一个字节,或者是2个字节都可以),为此,我在真正操作Flash前用vs写个测试代码。 定义一个结构体,把结构体的地址映射成一个u8 类型的数组的地址,把结构体的数据取出放入另一个准备好的u8 类型...
void FLASH_Inside_Wr(uint32_t addr,uint32_t Pdata) { //定义局部变量 uint32_t PageError = 0; HAL_StatusTypeDef HAL_Status; //擦除配置信息结构体,包括擦除地址、方式、页数等 FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit; pEraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;//按页擦除 pEraseInit.PageAddress...
FLASH_EraseInitTypeDef flash_erase; //定义一个结构体变量，里面有擦除操作需要定义的变量 ...
一、简介 在STM32芯片内部有一个 FLASH 存储器,它主要用于存储代码,我们在电脑上编写好应用程序后,使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中,由于 F...
首先,stm32的flash读不限制次数,写大约100 0000次,也就是说一天对同一个地方写100次,你需要大约20年才能写坏,所以可以你可以放心大胆的写。 其次,对于flash的操作代码也储存在flash中,也就是说如果你的写块覆盖掉了你的原始代码,你的程序可能出现未知的错误。
STM32L476RG最后一个字母G,代表flash是1M空间的,所以在该章节找到1M的表,如下2张图,本教程可以读写的空间属于“Main Memory”,“Information block”用作system memory、otp、Option Bytes。 可以看到1M,分为bank1(0-255page,每个page 2kbytes)与bank2(256-511page,每个page 2kbytes),一共512个page,每个page...
1. 定义要写入Flash的结构体 首先,你需要定义一个结构体,该结构体包含你想要存储的数据。例如: c typedef struct { uint32_t id; float value; char name[20]; } MyDataStruct; 2. 配置STM32的Flash接口 在写入Flash之前,你需要配置Flash接口,包括解锁Flash、设置页面大小等。STM32的HAL库提供了方便的Flas...
50.1.1.内部FLASH的构成¶ STM32的内部FLASH包含主存储器、系统存储器、OTP区域以及选项字节区域,它们的地址分布及大小见表 51‑1和表 51‑2。 表51‑1 STM32内部1M 字节FLASH单扇区的构成(256位宽读写) 表51‑2 STM32内部1M 字节FLASH双扇区的构成(128位宽读写) ...