STM32系列微控制器内置了Flash存储器,用于存储程序代码和用户数据。Flash存储器具有非易失性,即在断电后数据仍然保持。STM32的Flash存储器支持按页擦除和按扇区擦除,写入操作则通常是以字节或字为单位。 2. STM32 Flash的擦写寿命数据 根据多个来源的信息,STM32 Flash的擦写寿命大约在1万次到10万次之间。具体
STM32的Flash有寿命限制，通常最多只能重复擦写10万次。因此，在程序设计中，应避免无谓的重复擦写操作，...
较长寿命:一般的 Flash可擦除约十万次。 先擦再写:Flash的写操作只能将数据位从 1 写成 0,而不能从 0 写成 1,如果一个数据位已经写成 0 了,那 Flash必须先将该位所处的扇区或区块先擦除,才能重新写入。 由于Flash具有以上特点,所以它用来保存配置信息是非常合适的,因为配置信息通常只需要配置一次即可。后续...
所以大家可以算算,每天擦写100次,那么需要100天.但是你能每天刷100次么?除非你想测试STM32的flash寿命...
STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM。STM32F103x8, STM32F103xB1. FLASH擦写时间和电流2. FLASH擦写次数和数据保存年限擦写1万次,保存20年。STM32F427xx STM32F429xx1. FLASH擦写电流2. FLASH擦...
较长寿命:一般的 FLASH 可擦除约十万次 先擦再写:FLASH 的写操作只能将数据位从 1 写成 0,而不能从 0 写成 1,如果一个数据位已经写成 0 了,那 FLASH 必须先将该位所处的扇区或区块先擦除,才能重新写入。 FLASH 的擦除操作其实就是将对应扇区、区块或者全部区块的数据位全擦除为 1 ...
STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上,容量为2K-4K,这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看,其不适用于被反复修改的数据存储使用,一般作为配置参数,其修改次数往往是比较少量的。 STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址,操作共用同一个读写电路,所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于...
在机器工作过程中,每次动作都会记录一次数据到flash芯片,然后将当前数据的最高地址写入到特定的某个ADDR,供次写入时,读取出来,作为这条数据的起始地址。 这个位置的需要经常的读写,容易损坏,如果损坏了,那么以后历史数据都无法正常写入了。 解决方案:使用若干个相邻的扇区,数据存储到达一定的条数后,更换扇区继续,开机...
ÎļþÃû:1.jpg)我说的是eeprom，flash没测试 ...