STM32内部Flash的写入次数大约在10万次左右。这意味着在相同的位置进行多次写入操作后,Flash可能会损坏。不过,这个写入次数对于大多数应用来说已经足够长,因为即使在频繁写入的情况下,达到这个限制也需要相当长的时间。 擦除次数: 与写入次数类似,擦除次数也是有限的。每次写入之前,如果目标区域已经有数据,必须先进行擦除操作。擦
首先,stm32的flash读不限制次数,写大约100 0000次,也就是说一天对同一个地方写100次,你需要大约20年才能写坏,所以可以你可以放心大胆的写。 其次,对于flash的操作代码也储存在flash中,也就是说如果你的写块覆盖掉了你的原始代码,你的程序可能出现未知的错误。 最后,flash的读写操作在一定程度上的修正,可以有效...
flash_helper_struct.FlashHelperData[0] //第一位 和flash_helper_struct.FlashHelperData[19] //最后一位 我作为了数据开头和结尾标识,用户不能使用 用户可以用 FlashHelperGetIndex函数获取刚刚写入的数据 用来判断是不是写入成功. 如果写入不成功可以再次调用 FlashHelperUpdate();函数 然后再调用 FlashHelperGet...
但是一般Flash的擦除次数有限制,STM32F1系列最新的文档指出,片内的FLASH擦写次数大约在1W次左右,所以一般Flash用于擦除次数不多,但是数据量很大的场合。 这个Flash读写实验我们用到的芯片是W25Q128,这是一款采用SPI协议进行读写的Flash芯片,存储容量为128Mbit,合计16Mbyte,工作电压2.7V~3.6V。这个实验我们采用STM32...
大容量产品:主存储块256KB以上,每页2KB 互联型产品:主存储块256KB以上,每页2KB d)Flash擦除和写入的速度慢,有的需要几十ms,一般要留足时间,并且尽量不要被打断; e)Flash有擦写次数限制,手册中给的数据是1W次;读取次数不限。 欢迎关注我的公众号,可留言“资料”获取相关资料和软件:...
FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次,而且通常FLASH只能按块擦除。 2020-01-25 16:16:00 STM32F207内部Flash编程详解 本文将根据ST官方Flashprogramming manual,文档编号:PM0059,讲解STM32F207内...
需要注意的是,不同的MCU,其每一页的大小都不一样,如开篇提供的三种MCU的Flash构成表格,stm32f07x每一页是2KB,stm32f10x的每一页是1KB,stm32f40x没有页的概念,只有扇区的概念,且扇区的大小也不一定相同,有的是16KB,有的是64KB,有的是128KB。所以虽然读操作的步骤一样,但是编程的时候有些区别。这里以HAL...
你好,EFR32MG13P内部的EEPROM是使用Flash模拟的,Datasheet上标称Flash最少可以擦除10000次。但是模拟EEPROM的算法中并不是每次读写都会做擦除,所以读写的次数应该是远大于10000次的。关于多久读写一次这没有一个确定的指标,理论上模拟EEPROM的尺寸越大,可以读写的频率可以越高。 发布时间 : 2019-11-20 ①瑞萨...
STM32的内部FLASH读写测试 过程图如下(省略异常情况,只考虑成功的情况): 示例代码: 本例的关键代码如下: 代码语言:javascript 代码运行次数:0 运行 AI代码解释 /*** *---STM32 Demo---