解锁函数:void FLASH_Unlock(void); 对 FLASH 进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列,固件库函数实现很简单:只需要直接调用 FLASH_Unlock();即可。 锁定函数:void FLASH_Lock(void); 有解锁当然就有上锁,为了保护Flash,读写和擦除全部需要的Flash后需要上锁,只需要调用:...
1.首先大家需要知道,凡是数据是0xFF的地址,不需要再次擦除就可以写入. 假设一页1024字节,先全部擦除了 由于上面说的特性,可以这样做, 第一次写一个数据到Flash的0地址 第二次写一个数据到Flash的1地址 第三次写一个数据到Flash的2地址 每次写的时候就不需要擦除! 2.其实如果想真正的应用其实是下面这样子 ...
1、FLASH的分区以及扇区大小 FLASH擦除是按照扇区擦的,所以这个很重要,在工程中全局搜索 FLASH_PAGE_SIZE 宏就可以查看该芯片的页(扇区)大小,改宏在 stm32xxx_hal_flash.h中有定义 2、FLASH擦拭后的状态 F1和F4系列的芯片FLASH在擦除后会是0xFFFFFFFF,而L1系列的芯片FLASH在擦除后是0x00000000!!! 3、FLASH...
1. 擦除Flash存储器 擦除Flash存储器是将整个扇区或特定页设置为初始状态（通常是全0xFF），以便在...
使用stm32flash-a0x51 -w binary.bin -S 0x3000 /dev/i2c-4但回来无法在地址 0x00003000 写入内存对于 0x8003000,我得到擦除记忆 laisvl2023-01-05 07:38:50 STM32单片机内部FLASH的编程和擦除操作 F1和F4系列的芯片FLASH在擦除后会是0xFFFFFFFF,而L1系列的芯片FLASH在擦除后是0x00000000!!! 2021...
flash擦除时是按扇区擦除,使用电擦除,设备电压1.8V ~2.1V按字节(8bit)擦除,2.1V ~2.7V擦除半字(16bit),2.7V ~ 3.6V擦除一个字(32bit) 2.7V to 3.6V +外部电压擦除两个字(64bit), 二、内部flash的构成 STM32的内部FLASH包含主存储器、系统存储器以及选项字节区域,它们的地址分布及大小见下表。
因此,在需要保存一些芯片掉电之后依旧需要保存的数据(数据量不是特别大)时,运用内置flash的空闲部分可以为我们省去一颗eeprom或外置flash的花销。 知识总结: 1.flash的写入之前需要先擦除,且擦除是直接擦除一页(2KBytes),整个流程为 (1)解锁flash(2)擦除一页或多页(3)写数据(4)锁定flash ...
//FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASH_Lock();//锁定FLASH编程擦除控制 } 基本顺序:解锁-》清除标志位(可以不要)-》擦除-》写半字-》清楚标志位(也可以不要)-》上锁。 如果FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255 ...
1.首先大家需要知道,凡是数据是0xFF的地址,不需要再次擦除就可以写入. 假设一页1024字节,先全部擦除了 由于上面说的特性,可以这样做, 第一次写一个数据到Flash的0地址 第二次写一个数据到Flash的1地址 第三次写一个数据到Flash的2地址 每次写的时候就不需要擦除!