Flash 擦除是将 Flash 中的某个扇区的数据重置为 0xFF。由于 Flash 的物理特性,写操作只能将位设置为 0,而擦除操作将位恢复为 1。因此,在更新 Flash 数据时,通常需要先擦除再写入。 在STM32F407 中,Flash 擦除只能以扇区为单位进行,这意味着无法擦除扇区中的部分数据。每次擦除扇区时,整个扇区的数据都会...
解锁函数:void FLASH_Unlock(void); 对 FLASH 进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列,固件库函数实现很简单:只需要直接调用 FLASH_Unlock();即可。 锁定函数:void FLASH_Lock(void); 有解锁当然就有上锁,为了保护Flash,读写和擦除全部需要的Flash后需要上锁,只需要调用:...
1.首先大家需要知道,凡是数据是0xFF的地址,不需要再次擦除就可以写入. 假设一页1024字节,先全部擦除了 由于上面说的特性,可以这样做, 第一次写一个数据到Flash的0地址 第二次写一个数据到Flash的1地址 第三次写一个数据到Flash的2地址 每次写的时候就不需要擦除! 2.其实如果想真正的应用其实是下面这样子 ...
STM32WB55的flash擦除有两种机制,一种是只有单核运行下的flash擦除,这种模式下,flash擦除的步骤同其他STM32的flash擦除一样,直接调用HAL库中flash擦除的库函数即可;另一种是双核运行下的flash擦除,这种模式下,因为两颗CPU内核都会访问地址总线,可能会有访问冲突,为了解决这个问题,ST引入了硬件信号量机制,因此,在...
1、FLASH的分区以及扇区大小 FLASH擦除是按照扇区擦的,所以这个很重要,在工程中全局搜索 FLASH_PAGE_SIZE 宏就可以查看该芯片的页(扇区)大小,改宏在 stm32xxx_hal_flash.h中有定义 2、FLASH擦拭后的状态 F1和F4系列的芯片FLASH在擦除后会是0xFFFFFFFF,而L1系列的芯片FLASH在擦除后是0x00000000!!! 3、...
最大操作位数会影响擦除和写入的速度,其中 64 位宽度的操作除了配置寄存器位外,还需要在 Vpp 引脚外加一个 8-9V 的电压源,且其供电时间不得超过一小时,否则 FLASH可能损坏,所以 64 位宽度的操作一般是在量产时对 FLASH 写入应用程序时才使用,大部分应用场合都是用 32 位的宽度。
FLASH 是EEPROM的一种,是带电可擦除可编程的存储器。主要用于存储用户程序,同时也可以保存用户配置信息。 Flash特点 非易失性:数据在断电后依旧存储在数据中,适合存储程序代码和关键配置信息。 快速读取:Flash具有较快的读取速度。 写入缓慢:写入Flash的速度相对与单片机执行指令来说是非常缓慢的,而且写入时通过单片机...
1. 擦除Flash存储器 擦除Flash存储器是将整个扇区或特定页设置为初始状态（通常是全0xFF），以便在...
1.1 擦除 Flash 在 Flash 写入之前，通常需要对目标页进行擦除操作。擦除操作会将页的所有数据位设置...
这句话的意思是说,在擦除FLASH的期间,若尝试读取FLASH,则会被暂停,实际这个”读取”是指取指,我们都知道,程序的执行首先得通过从FLASH中通过I-BUS取出指令后才可以执行。这里SysTick之所以会被暂停掉,就是因为在擦除FLASH期间,为了执行SysTick中断例程,内核会尝试从FLASH取指,从而导致被暂停掉,进而全局变量uwTick...