作者由此得来灵感,在unlock前,判断CFGBSY是否置位1,如果在flash代码区域中在自己觉得没用的区域执行写入操作,就能够把CFGBSY置0,同时报其他flash错误标记,然后通过清除这些标记的手段实现擦除动作。具体代码参考如下: #define FLASH_FLAG_ALL_ERRORS (FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_PROGERR | FLASH_FLAG_WRPERR ...
在STM32单片机烧录程序的过程中, 通常情况下会擦除原来的程序 ,并将新程序写入单片机的闪存(Flash)中。这一过程是通过烧录工具(如ST-Link、J-Link等)实现的,它们负责将程序 2024-09-02 09:42:21 使用STlinkUtility v 4.5.0对闪存进行了不受保护的读取和写入操作,无法擦除闪存怎么解决? 您好,我是从事 STM...
问题表现在片内FLASH只能写0不能写1,故想到可能是擦除失败。 Debug发现果然HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError);函数返回的FlashStatus始终是HAL_ERROR; 调试发现HAL库中调取FLASH标志位时会出现错误,几经修改都无法避免,甚至复位重烧都不起作用,只有通过STVP才能勉强擦除。 后来上网查阅资料发现有网友...
//以下是循环读写擦除的代码 while(1){ HAL_FLASH_Unlock();
设置了FALSH写保护后不能下载程序怎么办 1、用ST-LINK Utility工具进行解除和恢复2、写保护以后,可以通过flashloader等工具先关闭写保护,再进行擦写操作。3、软件程序是 可以改写option byte位的,但是需要复位一次才生效。另外改写读保护这一位时,紧接着芯片就会自动擦除所有芯片内容的。
/* 再次尝试擦除 */ goto FLASH_ERASE_TRY;} else { dprintf("Flash Erase Fail...\r\n");res...
Flash的擦除操作: 在进行Flash的写和擦除操作之前,我们首先要对Flash进行解锁,因为Flash默认是锁着的。 在hal库当中,我们对于Flash的操作方式有两种,一种是按banks也就是按块操作,一种是按page按页操作,以上的两个函数的代码是以页操作为基础的。在hal库中我们通过配置FLASH_EraseInitTypeDef这个结构体来配置擦除...
检查电源滤波电容是否足够大，以确保在擦除Flash时电压稳定。
另外说一下,不建议大家循环擦写FLASH,因为FLASH是有擦除次数限制的,在循环中擦FLASH会导致FLASH到达上限后无法擦除,读没有限制。擦除结构体中VoltageRange参数是可以配置擦除电压,从而影响擦除的大小是多少,这里采用32bit一擦。不建议采用64bit擦除,虽然速度会快但是影响芯片FLASH寿命。