闪存存储器接口寄存器用于控制 FLASH 读写,是整个 FLASH 模块的控制中心,对主存储器和信息块的写入由内嵌的 FPEC(闪存编程/擦除控制器)控制,编程和擦除所需的高压电由该内部产生。 STM32F103xx参考手册中文版 编辑 以STM32F10xxx 中文参考手册中对闪存(FLASH)模块(中容量)的描述,可见 FLASH 的主存储块划分...
1、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY1 = 0x4567012 2、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY2 = 0xCDEF89AB 将FLASH_CR 寄存器中的LOCK 位置为1 后,可通过软件再次锁定FLASH_CR 寄存器 ST提供了库函数 备注: 当FLASH_SR 寄存器中的BSY 位置为1 后,将不能在写模式下访问FLASH_CR 寄存器。
STM32 的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器、 OTP 区域以及选项字节区域,它们的地址分布及大小下表: 各个存储区域的说明如下: (1)主存储器 一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候,都是指这个主存储器区域,它是存储用户应用程序的空间,芯片型号说明中的 1M FLASH、 2M FLASH 都是指这个区域的大小。 主存储器...
FLASH 在 HAL 库中的驱动代码在 stm32f4xx_hal_flash.c 和 stm32f4xx_hal_flash_ex.c 文件(及其头文件)中。 5.1、解锁闪存控制寄存器访问的函数 HAL_FLASH_Unlock() 用于解锁闪存控制寄存器的访问,在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列(...
除了使用外部的工具(如下载器)读写内部 FLASH 外, STM32 芯片在运行的时候,也能对自身的内部 FLASH 进行读写,因此,若内部 FLASH 存储了应用程序后还有剩余的空间,我们可以把它像外部 SPI-FLASH 那样利用起来,存储一些程序运行时产生的需要掉电保存的数据。
这是因为STM32不仅可以从内部Flash启动,还可以从系统存储器(可以实现串口ISP,USB DFU等程序下载方式,这个程序是ST固化好的程序代码)和从内部SRAM启动, 我们将内部Flash安排到0x0000 0000显然是不行的。这样会导致系统存储器或者内部SRAM无法重映射到0x0000 0000了。
背景 使用STM32使用液晶屏时,对于一些点阵屏,预先需定义好相应的字模,对于12864的话,使用的自身的FLASH空间就可以存放下所需的字模,几十KB的空间。 如果使用大的点阵屏,或者点阵密度较大时,且使用到的字体较多,如果只是用STM32自身的FLASH,对于一些小空间的芯片就
stm32的内置Flash编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以32位字或16位半字宽度数据为单位,允许跨页写;写入非字或半字长数据时将导致stm32内部总线错误。 二、程序实现 flash.h 1 #ifndef __FLASH_H 2 #define __FLASH_H 3 #include "stm32f10x.h" ...
1.快速擦除和编程速度:STM32 Flash具有快速的擦除和编程速度,可以高效地进行数据存储和更新操作。 2.耐久性和可靠性:STM32 Flash的存储器具有良好的耐久性和可靠性,可以进行大量的擦除和编程操作,而不会影响存储器的寿命。 3.可擦除性:STM32 Flash存储器可以进行扇区或页级别的擦除操作,而无需将整个存储器擦...
如下图所示是STM32F103RB系列单片机所使用的存储器大小,Flash为128KB,RAM为20KB,这里的RAM是指SRAM。 STM32F103RB内存大小 这两个存储器的寄存器输入输出端口被组织在同一个4GB的虚拟线性地址空间内。可访问的存储器空间被分成8个主要块,每个块为512MB。Flash用来存储编译好的程序文件,SRAM用来存储运行程序时所创建...