对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH 实例: #define FLASH_PAGE_SIZE ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小 #define WRITE_START_ADDR ((uint32_t)
STM32 复位后, FPEC 模块是被保护的, 不能写入 FLASH_CR 寄存器; 通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块(即写入 KEY1 和KEY2) , 只有在写保护被解除后, 我们才能操作相关寄存器。 固件库中的函数为: 代码语言:javascript 代码运行次数:0 运行 AI代码解释 voidFLASH_Unlock(void); (2...
STM32 的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器、 OTP 区域以及选项字节区域,它们的地址分布及大小下表: 各个存储区域的说明如下: (1)主存储器 一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候,都是指这个主存储器区域,它是存储用户应用程序的空间,芯片型号说明中的 1M FLASH、 2M FLASH 都是指这个区域的大小。 主存储器...
闪存存储器接口寄存器用于控制 FLASH 读写,是整个 FLASH 模块的控制中心,对主存储器和信息块的写入由内嵌的FPEC(闪存编程/擦除控制器)控制,编程和擦除所需的高压电由该内部产生。 STM32F103xx参考手册中文版 编辑 以STM32F10xxx 中文参考手册中对闪存(FLASH)模块(中容量)的描述,可见 FLASH 的主存储块划分了...
修改为BOOT0=1,BOOT1=0即可从系统存储器启动,并复位,ST出厂时自带Bootloader程序,便从系统存储启动,可以用USB转TTL或者SWD的方式下载程序。 重新烧写程序后,可将BOOT模式重新更换到BOOT0=0,BOOT1=X即可重新从主Flash启动 参考:STM32三种BOOT启动模式详解
STM32通过串口接收程序文件,写入固定Flash地址,写完之后,运行写入的程序. 二,操作演示 1,下载 BootLoader 2,打开串口调试助手,选择bin文件 3,首先发送 updata start 模块回复 Start Erase Flash Please Wait... 此时模块正在擦除需要存程序的Flash 等待擦除完成 模块回复 Wait Updata... ...
STM32内部FLASH主要作用存储用户程序代码,多余的可以用来存储用户数据了。例如FLASH总大小为128K,程序代码只用了100K,剩下的28K可用来存储我们自己的数据了。内部FLASH的读写比较繁琐,需要特定的指令才能完成,本章讲解如何利用HAL库函数实现内部FLASH的读写。
一、STM32 的内部 FLASH 简介 在STM32 芯片内部有一个 FLASH 存储器,它主要用于存储代码,我们在电脑上编写好应用程序后,使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中,由于 FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失,芯片重新上电复位后,内核可从内部 FLASH 中加载代码并运行。
Flash操作 2.1、读取 内置的Flash是处于CortexM3的数据总线上的,所以可以在通用地址空间之间寻址,任何32位数据的读操作都能访问Flash上的数据。 将Address强制转化为32位整型指针,然后取该指针所指向的地址的值,就得到了Address地址上的32位数据。 2.2、擦除 ...
用STM32_FLASH模拟实现EEPROM功能 描述 一、 在工业应用中经常使用EEPROM来存储数据,为降低成本、节省PCB空间,外部EEPROM可以用片内Flash加上特定的软件算法代替。 因为片内Flash的擦写次数有限,所以要加上特定算法来增加使用寿命。此算法ST提供了历程,我们可以移植到我们的程序里直接使用,比较方便。