(1) 往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123 (2) 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB 数据操作位数 最大操作位数会影响擦除和写入的速度,其中 64 位宽度的操作除了配置寄存器位外,还需要在 Vpp 引脚外加一个电压源,且其供电间不得超过一小时,否则 FLASH可能...
指针操作：在 C 语言编程中，通过指针来访问 Flash 地址空间的数据。例如，要读取 Flash 地址0x08000000...
一看就懂,手把手教学,STM32之片上FLASH操作共计2条视频,包括:STM32之片上FLASH操作、物联网小学妹等,UP主更多精彩视频,请关注UP账号。
HAL_FLASH_Lock(); return RdData; } 直接从内部地址读出数据即可。 4. 内部 FLASH 读写示例 在main.c中调用如下测试函数: /** * @brief 内部FLASH读写测试 */ void FLASH_Inside_Test(void) { printf("rnrn---内部FLASH读写测试---rnrn"); uint32_t addr = 0x08010000;//确保该地址内部FLASH...
STM32C011 的嵌入式 Flash 通过 AHB 总线与Cortex-M0+ CPU 连接,支持访问、擦除和编程操作。 Flash 构成: ● 存储单元:Flash 单元为 64 位宽,用于存储代码及数据。 ● 主存储器结构: ○共 16 页,每页大小为 2 KB,总计 32 KB。 ● 信息块区域: ○ 包括选项字节(2 KB)、工程字节(1 KB)、OTP(1 KB...
Flash读写的标准库函数 解锁函数:void FLASH_Unlock(void);对 FLASH 进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列,固件库函数实现很简单:只需要直接调用 FLASH_Unlock();即可。 锁定函数:void FLASH_Lock(void);有解锁当然就有上锁,为了保护Flash,读写和擦除全部需要的Flash后...
STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000。 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入。FLASH的擦除操作,只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。
写入操作:写入数据时,只能将0xFF写入为其他值,而不能将非0xFF的值直接修改为其他值。如果需要修改已写入的数据,必须先擦除该扇区。 三、实现步骤 3.1 解锁Flash 在进行Flash读写操作之前,需要先解锁Flash,以允许对其进行写操作。 3.2 擦除扇区 选择要擦除的扇区,并进行擦除操作。
编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2 stm32库版本:我用的是3.5.0 一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料。 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH 实例...
(1)进行解锁操作 STM32 的闪存编程是由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理 ,这个模块包含的寄存器如下: STM32 复位后, FPEC 模块是被保护的, 不能写入 FLASH_CR 寄存器; 通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块(即写入 KEY1 和KEY2) , 只有在写保护被解除后, 我们才能操作相关寄存...