擦除FLASH 写入FLASH 需要注意,FLASH 的擦除只能按页或整块进行。 STM32C011F4P6 的 FLASH 容量为 16 KB,共分为 8 页,每页大小为 2 KB。 我们可以将数据写入第 7 页,其地址范围为 0x08003800 - 0x08003FFF。 单次写入的单位为 64 位(8 字节)。STM32C011开发(3)---Flash操作_keil c stm32c011固件...
STM32将外设等都映射为地址的形式,对地址的操作就是对外设的操作。 stm32的外设地址从0x4000 0000开始,可以看到在库文件中,是通过基于0x4000 0000地址的偏移量来操作寄存器以及外设的。 一般情况下,程序文件是从 0x0800 0000 地址写入,这个是STM32开始执行的地方,0x0800 0004是STM32的中断向量表的起始地址。 在...
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编程方式是直接对FLASH进行底层的读写操作,需要对相关寄存器进行配置和控制。 1.写入数据 在STM32的FLASH中写入数据的操作需要经历以下步骤: 1) 解锁FLASH:通过FLASH_Unlock(函数解锁FLASH,使其可写入。 2) 擦除FLASH:通过FLASH_ErasePage(函数擦除要写入的FLASH扇区。 3) 写入数据:通过FLASH_ProgramByte(、FLASH_...
在STM32微控制器中,FLASH (快闪存储器)是用于存储应用程序和数据的重要组件。在本文中,我们将详细介绍STM32的FLASH操作。 1.FLASH简介: FLASH是一种可擦除可编程的非易失性存储器,常用于存储应用程序代码和数据。STM32微控制器的FLASH存储器由多个扇区组成。每个扇区的大小可以是1KB、2KB、4KB或16KB,具体取决于...
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读的操作就很简单了,直接取值就行。这里取到的值是半字的,2字节的 voidFLASH_W(uint32_t addr,uint16_t flash_read){//uint32_t Robot_Num_Flash_Add = 0x08005000;FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash;//声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_FlashHAL_FLASH_Unlock();//解锁FlashMy_Flash.TypeErase=...
Plane是NAND可以依据读、写、擦除等命令进行操作的最小单位,一个plane就是一个存储矩阵。包括若干个Block。 Block是NANDFlash的最小擦除单位,一个Block包括了若干个Page。 Page是NANDFlash的最小读写单位。一个Page包括若干个Byte。 Chip >Die > plane > block > page ...
STM32内部FLASH读写操作详解 在STM32中，FLASH存储器被分为多个扇区。每个扇区的大小根据芯片型号而定，可以是16KB、32KB、64KB等大小。每个扇区又被分为若干个页，每个页的大小为2KB、4KB、8KB等。读取FLASH数据的操作相对简单，可以通过读取内存地址的方式来实现。由于FLASH时序特殊，读取速度相对较慢，所以在使用...
擦最后一个扇区的操作是能完成的,但是当我选择将app1下到第二个扇区也就是0x8008000这个位置并在0x8000000下载bootloader程序(可以完成程序跳转功能)的时候却无法擦除最后一个扇区,而app1和bootloader加起来最多就40kb所以不可能把我现在用的stm32f4的flash用到最后一个扇区(前面的扇区加起来200k多)所以不存在一边...