扇区擦除的过程如下: (1) 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”,以确认当前未执行任何 Flash 操作; (2) 在 FLASH_CR 寄存器中,将“激活扇区擦除寄存器位 SER ”置 1,并设置“扇 区编号寄存器位 SNB”,选择要擦除的扇区; (3) 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1,开始
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Flash编程函数:第一个形参写入的方式:FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD(半字,一次写入16bit),FLASH_TYPEPROGRAM_WORD(字,一次写入32bit),FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD(双字,一次写入64bit). 第二个形参,写入数据的起始地址,第三个形参是要写入的数据。 stm32f40x系列 uint32_t GetSector(uint32_t Address) { uint...
1.1 擦除 Flash 在 Flash 写入之前，通常需要对目标页进行擦除操作。擦除操作会将页的所有数据位设置...
1) 解锁FLASH:通过FLASH_Unlock(函数解锁FLASH,使其可写入。 2) 擦除FLASH:通过FLASH_ErasePage(函数擦除要写入的FLASH扇区。 3) 写入数据:通过FLASH_ProgramByte(、FLASH_ProgramHalfWord(、FLASH_ProgramWord(等函数对FLASH进行数据写入。 4) 上锁FLASH:通过FLASH_Lock(函数上锁FLASH,防止误操作。 以下是一个简单...
【STM32F4 内部Flash的一些信息】 STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000。 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入。FLASH的擦除操作,只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。
读的操作就很简单了,直接取值就行。这里取到的值是半字的,2字节的 voidFLASH_W(uint32_t addr,uint16_t flash_read){//uint32_t Robot_Num_Flash_Add = 0x08005000;FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash;//声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_FlashHAL_FLASH_Unlock();//解锁FlashMy_Flash.TypeErase=...
STM32 复位后,FPEC 模块是被保护的,不能写入 FLASH_CR 寄存器;通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块,只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位(不能单纯的写入 8 位数据哦!),当 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’时,在一个闪存地址写入一...
Pages=1;//待删除的页数//删除操作,解锁-->删除-->上锁HAL_FLASH_Unlock();//先解锁status=HAL_FLASHEx_Erase(&TestFlashStruct,&PageError);//删除页HAL_FLASH_Lock();//上锁if(status!=HAL_OK){;}//如果删除失败处理//写入操作,解锁-->写入-->上锁 FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD类型一次写入是8个...