较长寿命:一般的 Flash可擦除约十万次。 先擦再写:Flash的写操作只能将数据位从 1 写成 0,而不能从 0 写成 1,如果一个数据位已经写成 0 了,那 Flash必须先将该位所处的扇区或区块先擦除,才能重新写入。 由于Flash具有以上特点,所以它用来保存配置信息是非常合适的,因为配置信息通常只需要配置一次即可。后续...
较长寿命:一般的 FLASH 可擦除约十万次 先擦再写:FLASH 的写操作只能将数据位从 1 写成 0,而不能从 0 写成 1,如果一个数据位已经写成 0 了,那 FLASH 必须先将该位所处的扇区或区块先擦除,才能重新写入。 FLASH 的擦除操作其实就是将对应扇区、区块或者全部区块的数据位全擦除为 1 FLASH 中的块、扇...
STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM。STM32F103x8, STM32F103xB1. FLASH擦写时间和电流2. FLASH擦写次数和数据保存年限擦写1万次,保存20年。STM32F4
2. FLASH擦写次数和数据保存年限 只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM。 STM32F103x8, STM32F103xB 1. FLASH擦写时间和电流 2. FLASH擦写次数和数据保存年限 擦写1万次,保存20年。 STM32F427xx STM32F429xx 1. FLA... 查看原文 【闸机】FLASH写 C:\...
NAND Flash作为非易失性存储技术的重要一员,其擦写次数是评估其性能和寿命的关键因素之一。以下将详细介绍NAND Flash的擦写次数,包括其定义、不同类型NAND Flash的擦写次数、影响因素、延长寿命的技术以及市场趋势等方面。 2024-07-29 17:18:20 STM32f030内部的FLASH擦写时间是多少 STM32f030内部的FLASH擦写时间是...
1. 擦除Flash存储器 擦除Flash存储器是将整个扇区或特定页设置为初始状态（通常是全0xFF），以便在...
除非你想测试STM32的flash寿命,呵呵.否则,顶多就是30次的样子.这样算来,每天擦30次,从不间断,能用...
STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上,容量为2K-4K,这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看,其不适用于被反复修改的数据存储使用,一般作为配置参数,其修改次数往往是比较少量的。 STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址,操作共用同一个读写电路,所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于...
在完整擦除过程如下: 20:27:12:Flashpage0@0x08000000erased.20:27:12:Flashpage1@0x08000400erased.20:27:17:Flashpage0@0x08000000erased.20:27:18:Flashpage1@0x08000400erased.20:27:18:Flashpage2@0x08000800isnoterased.Verifythe memory protection.20:27:18:Flashpage3@0x08000C00erased.20:27:18...