直接读取相应的FLASH地址 02 — 代码编写 FLASH读写不需要对STM32CubeMX进行特殊配置,直接调用HAL相关函数即可,编写读写函数如下: uint16_t WriteFlash(uint32_t start_Add,uint32_t end_Add,uint32_t *data) { uint32_t i; uint8_t j=0; uint32_t PageError; FLASH_EraseInitTypeDef f; f.TypeErase...
解锁函数:void FLASH_Unlock(void); 对 FLASH 进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列,固件库函数实现很简单:只需要直接调用 FLASH_Unlock();即可。 锁定函数:void FLASH_Lock(void); 有解锁当然就有上锁,为了保护Flash,读写和擦除全部需要的Flash后需要上锁,只需要调用:...
Block是NANDFlash的最小擦除单位，一个Block包括了若干个Page。Page是NANDFlash的最小读写单位。一个...
1. 擦除Flash存储器 擦除Flash存储器是将整个扇区或特定页设置为初始状态（通常是全0xFF），以便在...
可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程,在进行写入操作之前必须先执行擦除。一个Nand Flash由多个块(Block)组成,每个块里面又包含很多页(page)。每个页对应一个空闲区域/冗余区域(spare area),这个区域不是用来存储数据的,用于放置数据的校验值检测和纠错的。块,是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。页...
用FLASH模拟的EEPROM的宗旨就是尽可能少的擦除FLASH，以避免时间的消耗 ST的例程是仅在一个PAGE写满...
因此,在需要保存一些芯片掉电之后依旧需要保存的数据(数据量不是特别大)时,运用内置flash的空闲部分可以为我们省去一颗eeprom或外置flash的花销。 知识总结: 1.flash的写入之前需要先擦除,且擦除是直接擦除一页(2KBytes),整个流程为 (1)解锁flash(2)擦除一页或多页(3)写数据(4)锁定flash ...
STM32单片机内部FLASH的编程和擦除操作 F1和F4系列的芯片FLASH在擦除后会是0xFFFFFFFF,而L1系列的芯片FLASH在擦除后是0x00000000!!! 2021-02-14 16:37:00 flash擦除后的值是多少 擦除后的值是指将Flash存储器中的数据全部清除,并将其重置为初始状态。Flash存储器是一种非易失性存储介质,它使用电子存储技术...
FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次,而且通常FLASH只能按块擦除。 2020-01-25 16:16:00 STM32F207内部Flash编程详解 本文将根据ST官方Flashprogramming manual,文档编号:PM0059,讲解STM32F207内...