不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 12800pF @ 25V 功率-最大值 : 315W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装 : H²PAK...
功率晶体管 功率MOSFET N-沟道 (>30V 至 350V) STripFET F7系列 STH315N10F7-2 STH315N10F7-2批量生产 储存到myST 汽车级N沟道100 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 ...
STH315N10F7-2 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 3 漏源极电阻 0.0021 Ω 极性 N-Channel 耗散功率 315 W 阈值电压 3.5 V 漏源极电压(Vds) 100 V 连续漏极电流(Ids) 180A 上升时间 108 ns 输入电容(Ciss) 12800pF @25V(Vds) ...
唯样商城为您提供STMicro设计生产的STH315N10F7-2 元器件,主要参数为:TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB,STH315N10F7-2库存充足,购买享优惠!
STH315N10F7-2 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stoparrow 等渠道进行代购。 STH315N10F7-2 价格参考￥ 26.45 。 ST STH315N10F7-2 封装/规格: H²PAK-2, MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2。你可以下载 STH315N10F7-2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料...
STH315N10F7-2由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STH315N10F7-2价格参考￥116。ST(意法半导体) STH315N10F7-2参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;导通电阻(RDS(on)):2.3mΩ@10V,60A;耗散功率(Pd):315W;阈值电压(Vgs(t
STL100N10F7 FCP110N65F STH270N8F7-2 GA08JT17-247 BUK9637-100E,118 VN2410L-G-P013 STU6NF10 SI7464DP-T1-E3 IRF1018ESLPBF PSMN4R3-80PS,127 SI7136DP-T1-E3 SIHP15N60E-E3 IRF840LCLPBF STF30N10F7 STB85NF55T4 FDI038AN06A0 FDI030N06 STP190N55LF3 ST...
STH315N10F7-2 [更多]STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin H2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STH315N10F7-2) RoHS: Compliant 搜索 日本3号仓库仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货 ...
STH315N10F7-2 制造商: ST(意法半导体) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: 国内现货 digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 提示: 联系在线客服,获得更多STH315N10F7-2价格库存等采购信息!
商品关键词 STH315N10F7-2、 WINSOK、 TO-263 商品图片 商品参数 品牌: WINSOK 封装: TO-263 批号: 2020+ 数量: 9236551 FET类型: 单N沟道 漏源电压(Vdss): 100 漏极电流(Id): 315 漏源导通电阻(RDS On): 180 栅源电压(Vgs): 0.0023 栅极电荷(Qg): 0.0023 反向恢复时间: 0.0023 ...