系列 STH240N10F7-2 下降时间 112 ns 上升时间 139 ns 典型关闭延迟时间 110 ns 典型接通延迟时间 49 ns 单位重量 4 g 可售卖地 全国 型号 STH240N10F7-2 PDF资料 电子管-场效应管-STH240N10F7-2-ST/意法半导体-H2PAK-2-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交...
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 11550pF @ 25V 功率-最大值 : 300W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装 : H2Pak-2
型号: STH240N10F7-2 封装: TO-263-2 批号: 20+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 9V 长度: 5.2mm 宽度: 3.2mm 高度: 1.2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发...
起订数 100个起批 1000个起批 10000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 STH240N10F7-2、 ST、 TO-263 商品图片 商品参数 品牌: ST 封装: TO-263 批号: 21+ 数量: 4000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: ...
商品型号STH240N10F7-2 商品编号C3278109 商品封装H2PAK-2 包装方式 编带 商品毛重 1.668克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 180A 导通电阻(RDS(on)) 2.5mΩ@10V,60A 耗散功率(Pd) 300W 属性参...
型号: STH240N10F7-2 封装: TO-263 批号: 23+ 数量: 8980 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ Product Status: 在售 FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 100 V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 300W(Tc) 工作温度: -55°C ...
STH240N10F7-2 - N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装, STH240N10F7-2, STMicroelectronics
STH150N10F7-2 FCP190N65F IRFSL11N50APBF STF19NM50N STH240N10F7-2 FDB024N08BL7 IXFK44N60 BUK9675-55A,118 FDMC7672S NTMFS4852NT1G STU9N60M2 IRLR8103VPBF IRLU024PBF SI7386DP-T1-GE3 PSMN4R6-60PS,127 SUD35N10-26P-GE3 STD7ANM60N IRF3205ZLPBF STF7N80...
STH240N10F7-2 全球供应商 全球供应商 (7家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -1021立即发货1RMB ¥税18.88418.88418.88418.88418.884购买 得捷 美国 0 立即发货 1 RMB ¥ ...
STH240N10F7-2H2PAK-2Tape And Reel3.81000NECEAR99CHINA 质量和可靠性 型号PackageGradeRoHS Compliance GradeMaterial Declaration** STH240N10F7-2H2PAK-2IndustrialEcopack1md_(4-wspc-h2pak-wspc-6-wspc-leads_r2(4-wspc-od6je52_sdm.pdf md_(4-wspc-h2pak-wspc-6-wspc-leads_r2(4-wspc-od6je52_sdm...