型号: STH240N10F7-2 封装: TO-263 批号: 22+ 数量: 3000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-2 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 180 A Rds On-漏源导通电阻: 2.5 mOhms Vgs ...
型号: STH240N10F7-2 封装: TO-263-2 批号: 20+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 9V 长度: 5.2mm 宽度: 3.2mm 高度: 1.2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发...
型号: STH240N10F7-2 封装: TO-263 批号: 23+ 数量: 8980 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ Product Status: 在售 FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 100 V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 300W(Tc) 工作温度: -55°C ...
系列: STH240N10F7-2 下降时间: 112 ns 上升时间: 139 ns 典型关闭延迟时间: 110 ns 典型接通延迟时间: 49 ns 单位重量: 4 g STH240N10F7-2 场效应管 QFN 阳极电流 阳极电压 输出功率 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购...
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 11550pF @ 25V 功率-最大值 : 300W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 ...
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描述 N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 品牌名称ST(意法半导体) 商品型号STH240N10F7-2 商品编号C3278109 商品封装H2PAK-2 包装方式 编带 商品毛重 1.668克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压...
器件封装:H2Pak-2 STH240N10F7-2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:STH240N10F7-2 原始制造厂商:ST(意法半导体) 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询STH240N10F7-2的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
STH240N10F7-2 Mounting Type standard Description standard Application MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 Type standard Series standard Features standard Manufacturing Date Code standard Supplier: Shenzhen Haorui Network Technology Co., Ltd. Lead Free Status: Lead free / RoHS Compliant Datasheet: Please...
STH240N10F7-2 全球供应商 全球供应商 (7家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -1021立即发货1RMB ¥税16.48616.48616.48616.48616.486购买 得捷 美国 0 立即发货 1 RMB ¥ ...