STH240N10F7-2 全球供应商 全球供应商 (7家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -1021立即发货1RMB ¥税35.78635.78635.78635.78635.786购买 得捷 美国 0 立即发货 1 RMB ¥ ...
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 11550pF @ 25V 功率-最大值 : 300W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装 : H2Pak-2
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 11550pF @ 25V 功率-最大值 : 300W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装 : H2Pak-2...
STH240N10F7-2由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STH240N10F7-2价格参考￥7.61。ST(意法半导体) STH240N10F7-2参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@10V,60A;耗散功率(Pd):300W;阈值电压(Vgs(
型号: STH240N10F7-2 商品编号: DS0080525 封装规格: TO263 商品描述: 封装: H2PAK-2 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 180A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 100 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)...
STH240N10F7-2 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 chip1stopfuture 等渠道进行代购。 STH240N10F7-2 价格参考￥ 20.7725 。 ST STH240N10F7-2 封装/规格: H²PAK-2, MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2。你可以下载 STH240N10F7-2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有...
电子管-场效应管-STH240N10F7-2-ST-T0263-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准...
型号 STH240N10F7-2 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...
STH240N10F7-2 Marking 240N10F7 Package H²PAK-2 Packing Tape and reel Order code STH240N10F7-6 Marking 240N10F7 Package H²PAK-6 Packing Tape and reel N-channel 100 V, 2 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in an H²PAK-2 and H²PAK-6 packages STH240N10F7-2...
包装: Digi-Reel® 可替代的包装 系列: STripFET™ FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 100V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 180A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 2.5 毫欧 @ 60A,10V ...