型号: STH150N10F7-2 封装: TO-263 批号: 23+ 数量: 7500 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 100 V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 250W(Tc) 工作温度: -55°C ~ ...
型号 STH150N10F7-2 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...
型号: STH150N10F7-2 封装: TO-247-3 批号: 22+ 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-2 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 110 A Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms Vg...
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263A 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 STH150N10F7-2 PDF资料 电子管-场效应管-STH150N10F7-2-ST-H2PAK-2-16+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,...
STH150N10F7-2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:STH150N10F7-2 原始制造厂商:ST(意法半导体) 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询STH150N10F7-2的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
sth150n10f7-2 sth150n10f7-2产品参数 品牌 ST(意法) 批号 23+ 数量 5000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 125C 最小电源电压 3V 最大电源电压 8.5V 长度 7mm 宽度 4.1mm 高度 2mm 了解sth150n10f7-2详情 深圳市永贝尔科技有限公司 店铺信息...
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 8115pF @ 50V 功率-最大值 : 250W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 ...
STH150N10F7-2 FCP190N65F IRFSL11N50APBF STF19NM50N STH240N10F7-2 FDB024N08BL7 IXFK44N60 BUK9675-55A,118 FDMC7672S NTMFS4852NT1G STU9N60M2 IRLR8103VPBF IRLU024PBF SI7386DP-T1-GE3 PSMN4R6-60PS,127 SUD35N10-26P-GE3 STD7ANM60N IRF3205ZLPBF STF7N80...
型号 STH150N10F7-2 产品详情 深圳市长越通电子有限公司专业电子元器件一站式配单BOM,专"芯"服务 合作共赢公司介绍COMPANY INTRODUCTION深圳市长越通电子有限公司成立于2014年,公司主营英飞凌(IR)、ON(仙童)IGBT单管、IGBT模块、MOS管等功率器件,产品涵盖欧美、日本等国际一线品牌。主要代理经销NXP、TI 、ST、ON、...
商品型号STH150N10F7-2 商品编号C2970664 商品封装H2PAK-2 包装方式 编带 商品毛重 2.63克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 110A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.9mΩ@55A,10V 属性参数值 功率(...