不同Vds时的输入电容(Ciss) : 8115pF @ 50V 功率-最大值 : 250W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装 : H²PAK
STH150N10F7-2批量生产 储存到myST N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 精选 产品 描述 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,...
STH150N10F7-2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:STH150N10F7-2 原始制造厂商:ST(意法半导体) 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询STH150N10F7-2的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
立创商城提供ST(意法半导体)的场效应管(MOSFET)STH150N10F7-2中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购STH150N10F7-2上立创商城
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STH150N10F7-2:N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and...
Part No. MFG D/C QTY Packing Package Note STH150N10F7-2 ST 15+ 8000 H2PAK-2 意法功率MOSFET Part No. MFG D/C QTY Packaging Package Note Username Password Tel Mail Contact personHome | Stock Centers | Photo Gallery | Brand Category | Information goods | Online order | Contact | ...
STMicroelectronics STH150N10F7-2 Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs 3.9m@55A10V Packaging and delivery Selling Units: Single item Single package size: 13X8X4.5 cm Single gross weight: 0.010 kg Show more Samples Maximum order quantity: 1 piece ...