不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 8115pF @ 50V 功率-最大值 : 250W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装 : H²PAK...
STH150N10F7-2由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STH150N10F7-2价格参考￥16.27。ST(意法半导体) STH150N10F7-2参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):110A;导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@10V,55A;耗散功率(Pd):250W;阈值电压(Vgs
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零件号 STH150N10F7-2 类别 分立半导体产品 描述 MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 公司 ST Microelectronics, Inc. 数据表 下载STH150N10F7-2 数据表 交叉参考 类似零件: TK55S10N1 购买 找到哪里买 购买Vgs (th) (M 技术指标 家庭 节日- 单 系列 深门?, 斯特里菲特?Ⅶ 包装 切割胶带 (CT) ...
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STH15810 TO-263 Electronic Components STB35NF10T4 STGB10NB37LZT4 STGB18N40LZ STGB19NC60KDT4 STH150N10F7-2 STPS10L40CGColor: STH15810 STH15810 STB35NF10T4 STGB10NB37LZT4 STGB18N40LZ STGB19NC60KDT4 STH150N10F7-2 STPS10L40CGCustomer...
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