STH3N150-2 - N沟道1500 V、6 Ohm典型值、2.5 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET,H2PAK-2封装, STH3N150-2, STMicroelectronics
STH3N150-2由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STH3N150-2价格参考￥6.716551。ST(意法半导体) STH3N150-2参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):1.5kV;连续漏极电流(Id):2.5A;耗散功率(Pd):63W;阈值电压(Vgs(th)):4V;栅极电荷量(Qg):29.3nC@1200V;
STH3N150-2是一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于各种电子设备和电路应用。它采用先进的技术和材料,具有优异的导通特性和稳定的性能,可广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。 产品参数: 型号:STH3N150-2极性:N沟道最大耐压:150V最大电流:3A封装:TO-220导通电阻:仅几欧姆工作温度范围:-55°C...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 ST、 TO263、 STH3N150、 2 商品图片 商品参数 品牌: ST 封装: TO263 批号: 23+ 数量: 7500 制造商: STMicroelectronics 系列: PowerMESH™ FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 1500 V Vgs(最大值):...
STH3N150-2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH5244 1起订1+ 10+ 25+ 100+ 500+ 1000+ ￥65 ￥49.52 ￥47.4 ￥35.93 ￥29.9 ￥29.2 6-10天购买 日本1号仓库仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货 ...
唯样编号 C-STH3N150-2 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 否 描述 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 STH3N150-2.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 查看相似商品 库存...
STH3N150-2 功率MOSFET 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号STH3N150-2 制造商ST(意法半导体) 唯样编号G-STH3N150-2 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs不符合RoHs 描述 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 STH3N150-2.pdf...
STH3N150-2由ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过digikey等渠道进行代购。 STH3N150-2 价格参考￥ 14.5692 。 ST STH3N150-2 封装/规格: H²PAK-2, MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2。你可以下载 STH3N150-2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应...
STH3N150-2 场效应管 ST 价格 ¥ 1.00 起订数 1PCS起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 ST、 STH3N150、 2 商品图片 商品参数 品牌: ST 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 系列: PowerMESH™ FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss...
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