型号: STH3N150-2 封装: D2PAK 批号: 24+ 数量: 9500 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-2 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV Id-连续漏极电流: 2.5 A Rds On-漏源导通电阻: 9 Ohms Vgs - 栅极...
STH3N150-2是一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于各种电子设备和电路应用。它采用先进的技术和材料,具有优异的导通特性和稳定的性能,可广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。 产品参数: 型号:STH3N150-2极性:N沟道最大耐压:150V最大电流:3A封装:TO-220导通电阻:仅几欧姆工作温度范围:-55°C...
STH3N150-2 全球供应商 全球供应商 (11家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -10201立即发货1RMB ¥税20.56620.56620.56620.56620.566购买 欧时 英国 2996 立即发货 - RMB ¥ ...
STH3N150-2 - N沟道1500 V、6 Ohm典型值、2.5 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET,H2PAK-2封装, STH3N150-2, STMicroelectronics
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STH3N150-2 商品编号 C221471 商品封装 H2PAK-2 包装方式 编带 商品毛重 1.964克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)1.5kV 连续漏极电流(Id)2.5A 导通电阻(RDS(on))- 耗散功率(Pd)63W ...
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STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150 Datasheet N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages 23 1 TO-3PF TAB 3 2 TO-220 1 D(2, TAB) TAB 2 3 1 H2PAK-2 3 2 1 TO-247 D(TAB) G(1) G(1) ...