.温度范围 -40℃～+150 温度偏差 ±2.0℃ 温度上升时间 每分钟约3度 温度下降时间 每分钟约1度 . 相对湿度偏差 ±3%RH (>75%RH 空载) ±5%RH (≤75%RH 空载 内箱尺寸 W500×H600×D500m 外型尺寸 W700×H1800×D1300mm 机器定位 脚轮数量:4 是否用水平调节轮( √ ) 选择√ 0r × ...
STH150N10F7-2由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STH150N10F7-2价格参考￥16.27。ST(意法半导体) STH150N10F7-2参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):110A;导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@10V,55A;耗散功率(Pd):250W;阈值电压(Vgs
STH150N10F7-2 - N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装, STH150N10F7-2, STMicroelectronics
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STH150N10F7-2 FCP190N65F IRFSL11N50APBF STF19NM50N STH240N10F7-2 FDB024N08BL7 IXFK44N60 BUK9675-55A,118 FDMC7672S NTMFS4852NT1G STU9N60M2 IRLR8103VPBF IRLU024PBF SI7386DP-T1-GE3 PSMN4R6-60PS,127 SUD35N10-26P-GE3 STD7ANM60N IRF3205ZLPBF STF7N80...
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STH3N150-2 全球供应商 全球供应商 (11家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 需求数量: -+ 含%增值税 ...
STH3N150-2是一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于各种电子设备和电路应用。它采用先进的技术和材料,具有优异的导通特性和稳定的性能,可广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。 产品参数: 型号:STH3N150-2极性:N沟道最大耐压:150V最大电流:3A封装:TO-220导通电阻:仅几欧姆工作温度范围:-55°C...