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.温度范围 -40℃～+150 温度偏差 ±2.0℃ 温度上升时间 每分钟约3度 温度下降时间 每分钟约1度 . 相对湿度偏差 ±3%RH (>75%RH 空载) ±5%RH (≤75%RH 空载 内箱尺寸 W500×H600×D500m 外型尺寸 W700×H1800×D1300mm 机器定位 脚轮数量:4 是否用水平调节轮( √ ) 选择√ 0r × ...
STH150N10F7-2由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STH150N10F7-2价格参考￥16.27。ST(意法半导体) STH150N10F7-2参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):110A;导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@10V,55A;耗散功率(Pd):250W;阈值电压(Vgs
STH150N10F7-2批量生产 储存到myST N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 精选 产品 描述 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,...
STH150N10F7-2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:STH150N10F7-2 原始制造厂商:ST(意法半导体) 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询STH150N10F7-2的技术规格手册Datasheet(PDF文件) 全球现货资源整合,最快当日出货...
唯样商城为您提供STMicro设计生产的STH150N10F7-2 元器件,主要参数为:TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB ,STH150N10F7-2库存充足,购买享优惠!
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 100V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 110A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 3.9 毫欧 @ 55A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 250µA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 8115pF @ 50V 功率-最大值 : 250W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 ...
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制造商型号: STH150N10F7-2 制造商: ST (意法半导体) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多STH150N10F7-2价格库存等采购...