STH-150D桌上型恒温恒湿 参数的详细资料: 品牌艾思荔/Asli 桌上型恒温恒湿试验箱 桌上型恒温恒湿试验箱又名环境试验箱,试验各种材料耐热、耐寒、耐干、耐湿性能。适合电子、电器、食品、车辆、金属、化学、建材等工厂之用。可满足以下标准:GB2423.1-89低温试验方法、GB2423.2-89高温试验方法、GB2423-93试验D6交...
.温度范围 -40℃～+150 温度偏差 ±2.0℃ 温度上升时间 每分钟约3度 温度下降时间 每分钟约1度 . 相对湿度偏差 ±3%RH (>75%RH 空载) ±5%RH (≤75%RH 空载 内箱尺寸 W500×H600×D500m 外型尺寸 W700×H1800×D1300mm 机器定位 脚轮数量:4 是否用水平调节轮( √ ) 选择√ 0r × ...
型号: STH150N10F7-2 封装: TO-263 批号: 2020+ 数量: 15000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-2 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 110 A Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms Vgs...
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 8115pF @ 50V 功率-最大值 : 250W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装 : H²PAK
STH150N10F7-2由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STH150N10F7-2价格参考￥16.27。ST(意法半导体) STH150N10F7-2参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):110A;导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@10V,55A;耗散功率(Pd):250W;阈值电压(Vgs
STH150N10F7-2批量生产 储存到myST N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 精选 产品 描述 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,...
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