不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 11550pF @ 25V 功率-最大值 : 300W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装 : H²PAK...
STH240N10F7-6由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STH240N10F7-6价格参考￥6.99。ST(意法半导体) STH240N10F7-6参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@10V,60A;耗散功率(Pd):300W;阈值电压(Vgs(
品牌:ST(意法半导体) 型号: STH240N10F7-6 商品编号: G0039000 封装规格: TO-263-6 商品描述: N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装 商品详情 商品介绍 N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装 标准包装 标准包装是从制造商/代...
爱企查为您提供STH240N10F7-6 场效应管 ST/意法 封装TO-263 批次22+,深圳市金易诚电子有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。场效应管;场效应管批发;场效应管行情报价;场效应管价格;场效应管底价;场效应管图片;场效应管厂家;场效应管生产厂家;场效应管品牌
STH240N10F7-6:N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 package These N-channel Power MOSFETs utilize the STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacita...
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STH240N10F7-6 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stoparrow 等渠道进行代购。 STH240N10F7-6 价格参考￥ 11.4588 。 ST STH240N10F7-6 封装/规格: TO-263-7(D2PAK), MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6。你可以下载 STH240N10F7-6 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说...