NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口,其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍,其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢,集成度低,成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右,一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。 而NAND呢,采用...
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure ...
NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 NANDFlash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码,因此好多使用NA...
存储芯片本身就是包括SRAM,MRAM,PSRAM,SPI SRAM等内存种类,其中NOR FLASH和NAND FLASH是现在内存市场上两种主要的非易失闪存技术。1988年最初开发出NOR flash技术是Intel,NOR FLASH的出现完全打破了原先由EPROM和EEPROM垄断局势。 1989年,东芝公司公布了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,而且可以像磁盘...
闪存存取比较快速,无噪音,散热小。小数据块操作速度很慢,而大数据块速度就很快,这种差异远比其他存储介质大的多。 SPI NOR FLASH 常规容量 NAND FLASH 常规容量 专业供应ram存储器及FLASH芯片,有任何需求请联系我司sales@sramsun.com
存储器入门介绍和选型(ROM SRAM DRAM Nor Nand Flash EEPROM MRAM FRAM)
存储器分类存储器比较存储器特点SRAMDRAMNorFlashNandFlashEEPROMMRAM存储特性易失易失非易失非易失非易失非易失容量256Kb16Mb256Kb512Mb1Kb128Kb容量256Kb~16Mb16Mb~4Gb256Kb~512Mb512Mb~8Gb1Kb~1Mb128Kb~16Mb接口并行口并行口串/并行口串/并行口串/并行口串/并行口读/写速度最快较快快/慢快慢快软件支持简单...
SPI NAND flash的封装形式多采用 WSON的封装,尺寸比传统的NAND flash TSOP的封装要小很多, 充分节省了PCB板的空间,管脚的数量,从而可以减小PCB的尺寸及层数,既满足了小型化的需求也降低了产品的成本。 芯天下是一家专注于存储芯片的半导体高新技术公司,产品包括NAND MCP, SPI NAND, EEPROM, SPI NOR Flash等,主要...
SRAM不应该与SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。 从晶体管的类型分,SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分,SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控...
NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。 PSRAM,假静态随机存储器。 背景: PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格,与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-loadresistorSRAM储存格大不相同,但它具有类似SRAM的...