应用:NAND FLASH通常用于大容量存储应用,如U盘、固态硬盘(SSD)、存储卡等;而NOR FLASH则常用于需要快速读取的场合,如代码存储等。 二、区别分析 1、读写特性 RAM类(SRAM、DRAM、SDRAM、DDR):可随机读写,但断电丢失数据。其中SRAM无需刷新,读写速度最快;DRAM需刷新,速度稍慢;SDRAM和DDR通过与时钟同步等方式提高...
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure ...
NAND Flash以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，故其写入和擦除速度虽比DRAM大约慢3-4个数量级，却也比传统的机械硬盘快3个数量级，被广泛用于eMMC/EMCP、U盘、SSD等市场。相对于机械硬盘等传统存储介质，采用NAND Flash 芯片的SD 卡、固态硬盘等存储装置没有机械结构，无噪音、寿命长、功耗低、可靠性高、...
SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位,而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。 SRAM不应该与SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。 从晶体管的类型分,SRAM可以分为双极性与CMOS两种。...
DRAM 动态随机存储器不同,DRAM 必须在一定的时间内不停的刷新才能保持其中存储的数据。 一个SRAM 单元通常由4-6 只晶体管组成,当这个SRAM 单元被赋予0 或者1 的状态之后,它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。 SRAM 的速度相对比较快,而且比较省电,但是存储1bit 的信息需要4-6 ...
NAND Flash和NOR Flash是两种主要的闪存技术。它们的主要区别在于访问方式。NAND Flash的数据、地址和数据线都是共享的,需要通过软件控制读取时序,因此不能像NOR Flash或内存那样进行随机访问。这意味着NAND Flash不能直接用作启动设备。然而,NAND Flash具有较高的存储密度和更长的寿命,通常用于存储大量数据,如文件系统...
易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-Volatile Memory)是两大类存储器,它们的主要区别在于断电后数据的保存能力。 易失性存储器(如DRAM和SRAM)虽然速度快,但断电后数据丢失,适用于临时数据存储场景,例如计算机的主内存和缓存。 非易失性存储器(如NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM)则能在断电...
另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。 三、FLASH简介 Flash是由macromedia公司推出的交互式矢量图和 Web 动画的标准,由Adobe公司收购。做Flash动画的人被称之为闪客。网页设计者...
本文主要探讨了ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH这五种半导体存储器的区别和应用场景。首先，RAM，包括静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)，是计算机内存的核心。SRAM速度快但成本高，常用于CPU缓存，而DRAM则便宜得多，广泛应用于计算机内存。DRAM工作原理依赖于周期性的数据刷新以保持信息，如DDR RAM在双倍时钟速率...