NAND Flash以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，故其写入和擦除速度虽比DRAM大约慢3-4个数量级，却也比传统的机械硬盘快3个数量级，被广泛用于eMMC/EMCP、U盘、SSD等市场。相对于机械硬盘等传统存储介质，采用NAND Flash 芯片的SD 卡、固态硬盘等存储装置没有机械结构，无噪音、寿命长、功耗低、可靠性高、...
SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位,而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。 SRAM不应该与SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。 从晶体管的类型分,SRAM可以分为双极性与CMOS两种。...
SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别 SRAM SRAM的全称是Static Rnadom Access Memory，翻译过来即静态随机存储器。这⾥的静态是指这种存储器只需要保持通电，⾥⾯的数据就可以永远保持。但是当断点之后，⾥⾯的数据仍然会丢失。由于SRAM的成本很⾼，所以像诸如CPU的⾼速缓存，才会采⽤SRAM。DRAM DRAM全称是...
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure ...
1、nandflash Nandflash是IO设备,数据、地址、控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash、内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行)。因此不能直接作为boot。 S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里有一个内置的SRAM。
SRAM有它的缺点,即它的集成度较低,功耗较DRAM大 ,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。 ROM ROM 是 read only memory的简称,表示只读存储器。只读存储器(ROM)是一种在正常工作时其存储的数据固定不变,其中的数据只能读出...
2)DRAM DRAM地优点是集成度高,功耗小,价格低。 缺点是即便器件不掉电,存储内容也只能保持很短地时间,需不断地被刷新。 典型地DRAM结构图如下: 每个存储单元由一个MOS管及其寄生电容构成。由于数据信号的状态由电容的电荷量决定,因此每隔一段时间需对电容做一次充放电的刷新操作。
ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别 ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电 之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度...
srameepromflashdramepromsdram EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floatinggatetransister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gatetunelingoxidetransister)及一个附加的Transister组成,由于...