NAND Flash和NOR Flash是两种主要的闪存技术。它们的主要区别在于访问方式。NAND Flash的数据、地址和数据线都是共享的,需要通过软件控制读取时序,因此不能像NOR Flash或内存那样进行随机访问。这意味着NAND Flash不能直接用作启动设备。然而,NAND Flash具有较高的存储密度和更长的寿命,通常用于存储大量数据,如文件系统...
易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-Volatile Memory)是两大类存储器,它们的主要区别在于断电后数据的保存能力。 易失性存储器(如DRAM和SRAM)虽然速度快,但断电后数据丢失,适用于临时数据存储场景,例如计算机的主内存和缓存。 非易失性存储器(如NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM)则能在断电...
1、nandflash Nandflash是IO设备,数据、地址、控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash、内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行)。因此不能直接作为boot。 S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里有一个内置的SRAM。 叫做stepping stone(垫脚石,非常形象…)。系统启动加电后...
对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位,而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。 SRAM不应该与SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。 从晶体...
与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存(cache).SRAM也有许多种,如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM,异步SRAM)、SyncSRAM(SynchronousSRAM,同步SRAM)、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM,流水式突发SRAM),还有INTEL没有...
首先是理清，SRAM和DRAM的区别。DRAM才是用电容存储信息的，SRAM用的是CMOS组成的非门。1.DRAM DRAM结构...
flash也是利用floating gate transistor进行存储读写的，所以原理和NOR flash没有大区别，只不过NAND flash...
易失性存储芯片常见的有 DRAM 和 SRAM,通常和 CPU一起使用,为 CPU 提供运算时中间数据的存储。非易失性存储芯片包括 Flash(闪存)和 ROM(只读存储器)。闪存芯片又分NAND Flash 和 NOR Flash 两种。NAND Flash 容量大,主要用于大容量数据存储;NOR Flash 容量较小,但可以直接在芯片内执行程序代码,通常用来存储...
与计算机相同,手机同样需要处理器、DRAM和Nand Flash,区别在于其产品的最终形态不同,计算机内部的形态为CPU+内存条+硬盘,而手机则采用eMMC或eMCP两种形式:“处理器+eMCP”或“集成了LPDDR的处理器+eMMC”。 Nor Flash市场应用 嵌入式存储是Nor Flash的主要应用领域,基于其读写速度快、可靠性高、成本高、可芯片内...
SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。