NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure ...
6.NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码, 一...
SRAM也不应该与PSRAM相混淆,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。 从晶体管的类型分,SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分,SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信...
NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口,其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍,其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢,集成度低,成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右,一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的上可以看见。 而NAND呢,采用的是串...
NAND Flash和NOR Flash的比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有...
2、数据非易失性存储器,如NAND/NOR flash。这类存储器读写速度比较慢,但是在掉电后数据不会丢失。因此,在SoC设计中可用作大数据的存储或者程序的存储; 3、新出现的存储器PSRAM(pseudo SRAM),称之为伪静态随机存取器。它具有SRAM的接口协议:给出地址、读写指令,就可以实现数据的存取;相比DRAM的实现,它不需要复...
SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM)，这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是...
NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。 PSRAM,假静态随机存储器。 背景: PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格,与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-loadresistorSRAM储存格大不相同,但它具有类似SRAM的...
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。 NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。
数据非易失性存储器，如NAND/NOR flash，具有较慢的读写速度，但在掉电后数据依然保存。因此，这类存储器常用于SoC设计中的大数据存储或程序存储。PSRAM，伪静态随机存取器，结合了SRAM的接口协议，提供高速存取数据的功能。与DRAM相比，PSRAM的内核架构采用DRAM设计，而存储单元由一个晶体管加一个电容构成...