NAND Flash和NOR Flash是两种主要的闪存技术。它们的主要区别在于访问方式。NAND Flash的数据、地址和数据线都是共享的,需要通过软件控制读取时序,因此不能像NOR Flash或内存那样进行随机访问。这意味着NAND Flash不能直接用作启动设备。然而,NAND Flash具有较高的存储密度和更长的寿命,通常用于存储大量数据,如文件系统...
对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位,而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。 SRAM不应该与SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。 从晶体...
1、nandflash Nandflash是IO设备,数据、地址、控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash、内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行)。因此不能直接作为boot。 S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里有一个内置的SRAM。 叫做stepping stone(垫脚石,非常形象…)。系统启动加电后...
PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。 PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等,容量没有SDRAM那样密度高,但肯定是比SRAM的容量要高很多的,速度支持突发模式,并不是很慢,Hynix,Coremagic,WINBOND.MICRON.C...
● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 (注:NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6s。) 2、接口差别: NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
DRAM是靠电容存储电荷实现数据的读取和写入的，你每次读写DRAM里的数据都会导致电容的充放电，电容放电...
flash也是利用floating gate transistor进行存储读写的，所以原理和NOR flash没有大区别，只不过NAND flash...
与计算机相同,手机同样需要处理器、DRAM和Nand Flash,区别在于其产品的最终形态不同,计算机内部的形态为CPU+内存条+硬盘,而手机则采用eMMC或eMCP两种形式:“处理器+eMCP”或“集成了LPDDR的处理器+eMMC”。 Nor Flash市场应用 嵌入式存储是Nor Flash的主要应用领域,基于其读写速度快、可靠性高、成本高、可芯片内...
NORflash,NANDflash,SDRAM结构和容量分析1.NORflash结构和容量分析例如:HY29LV160。引脚分别如图:孙切可叩All孙川中咿I411NC诩quot;RES163;TNCNC叫叫晒响胡I叩I皿叩邪则mnrrn