爱企查为您提供SQ2319ADS-T1_GE3 场效应管 VISHAY 封装SOT23 批号2052+,深圳市埃斯电子科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。场效应管;场效应管批发;场效应管行情报价;场效应管价格;场效应管底价;场效应管图片;场效应管厂家;场效应管生产厂家;场效应管
封装/规格 TO-220AB-3 认证机构 q 反向传输电容(Crss@Vds) 1 连续漏极电流(Id) 32 A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1 最小包装量 Tube 可售卖地 全国 类型 IGBT 晶体管 型号 IRLML6402TRPBF 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数...
商品型号 SQ2319ADS-T1_GE3 商品编号 C266790 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.041克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)4.6A 导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V,4.6A ...
SQ2319ADS-T1_GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stoparrow 等渠道进行代购。 SQ2319ADS-T1_GE3 价格参考￥ 1.8967 。 Vishay SQ2319ADS-T1_GE3 封装/规格: SOT346, MOSFETP-CH40V4.6ASOT23-3。你可以下载 SQ2319ADS-T1_GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说...
领券中心备货找料立推专区爆款推荐PLUS会员BOM配单品牌库PCB/SMTMRO工业品面板定制 温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准 对比 SQ2319ADS-T1_GE3-VB 描述 SOT23;P—Channel沟道,-40V;-3.6A;RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
制造商产品型号:SQ2319ADS-T1_GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 25°C时电流-连续漏极(Id)...
制造商型号: SQ2319ADS-T1_GE3 制造商: SILICONIX (威世) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多SQ2319ADS-T1_GE3价格库存...
摘要:SQ2319ADS-T1_GE3现货 Vishay Siliconix代理商 一站式电子元器件采购商城,晶体管 - FET,MOSFET - 单个的SQ2319ADS-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、引脚图、封装规格、价格行情和库存等信息,Vishay Siliconix的SQ2319ADS-T1_GE3货源充足,采购SQ2319ADS-T1_GE3上盛芯商
直接从现货分销商和其他供应商中查询SQ2319ADS-T1-GE3。使用netCOMPONENTS,世界上最大的电子元件查询网站找到SQ2319ADS-T1-GE3元件和数据表。
SQ2319ADS-T1_GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SQ2319ADS-T1_GE3 价格参考￥ 0 。 Vishay SQ2319ADS-T1_GE3 封装/规格: SOT346, MOSFETP-CH40V4.6ASOT23-3。你可以下载 SQ2319ADS-T1_GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs ...