SQ2315ES-T1_GE3 Vishay 数据手册 功率MOSFET P-Channel 12V 5A(Tc) ±8V 2W(Tc) 50mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规 ￥4.046 0 当前型号 IRLML6401TRPBF Infineon 数据手册 功率MOSFET ±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Chann...
功率MOSFET P-Channel 12V 5A(Tc) ±8V 2W(Tc) 50mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQ2315ES-T1_GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 ...
商品型号 SQ2315ES-T1-GE3-VB 商品编号 C7525009 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.044克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)5.4A 导通电阻(RDS(on))- ...
商品型号 SQ2315ES-T1-GE3-JSM 商品编号 C18192738 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.057克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)4.3A 导通电阻(RDS(on))65mΩ@2.5V,2.5A ...
1. 产品型号:SQ2315ES-T1-GE3-VB2. 封装类型:SOT233. 沟道类型:P—Channel4. 额定电压:-30V5. 额定电流:-5.6A6. 导通电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V7. 阈值电压:Vth=-1V **应用简介:**SQ2315ES-T1-GE3-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管,以其低导通电阻和适用于负载开关等特性...
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型号 SQ2315ES-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SQ2315ES-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 新到货 数量: 501874 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 资格: AEC-Q101 高度: 1.45 mm 长度: 2.9 mm 系列: SQ 宽度: 1.6 mm 单位重量: 8 ...
SQ2315ES-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购SQ2315ES-T1_GE3、查询SQ2315ES-T1_GE3代理商; SQ2315ES-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有SQ2315ES-T1_GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快...
SQ2315ES-T1_GE3- 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持,Vishay代理稳定货源。 图片信息 基本技术信息: 电子器件型号:SQ2315ES-T1_GE3 原始制造厂商:Vishay,威世 技术标准参数:MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ...
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