封装/规格 TO-220AB-3 工作温度 + 175 C 输入电容(Ciss@Vds) 1 可售卖地 全国 类型 IGBT 晶体管 型号 IRLML6402TRPBF 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的...
型号: SQ2315ES-T1_GE3 封装: SOT23 批号: 2244 数量: 12000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 12 V Id-连续漏极电流: 5 A Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms Vgs - 栅极-源...
型号 SQ2315ES-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SQ2315ES-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 新到货 数量: 501874 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 资格: AEC-Q101 高度: 1.45 mm 长度: 2.9 mm 系列: SQ 宽度: 1.6 mm 单位重量: 8 ...
企业档案 供应商品 联系企业 原装SQ2315ES-T1_GE3 场效应管 欢迎询价 价格 ¥ 1.25 ¥ 1.20 ¥ 1.00 起订数 1PCS起批 100PCS起批 1000PCS起批 发货地 广东东莞 咨询底价 产品服务 热门商品 1411168-1 集成电路(IC) TE 封装SOP12 批号24+ ¥ 10.00 1-175196-5 端子、接插件 TE 封装SOP...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号SQ2315ES-T1_GE3 商品编号C143032 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 12V 连续漏极电流(Id) 5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3.5...
SQ2315ES-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购SQ2315ES-T1_GE3、查询SQ2315ES-T1_GE3代理商; SQ2315ES-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有SQ2315ES-T1_GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快...
SQ2315ES-T1_GE3是一款P通道MOSFET器件,采用的是PowerPAK-SO-8-4封装,安装风格为SMD/SMT。 SQ2315ES-T1_GE3器件的应用也是非常的广泛,适用于空间受限的地方,例如低压驱动器和非隔离POL应用。其工作温度为-55°C~+175°C。 规格参数 功能特性 •TrenchFET®功率MOSFET ...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SQ2315ES-T1_GE3 元器件,主要参数为:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 ,SQ2315ES-T1_GE3库存充足,购买享优惠!
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 SQ2315ES-T1-GE3、 VISHAY、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 385 产地: 中国 参数名: 参数值 说明: 只做进口正品 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可...
制造商产品型号:SQ2315ES-T1_GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 25°C时电流-连续漏极(Id):5A(...