谁家的SPICE支持的MOSFET模型越多,谁的SPICE用户群就越大。这点我们在下面HSPICE的章节中还会提到。 前面我们说过SPICE2中加上了MOSFET Level 1的模型。等到SPICE3出来的时候,里面已经加入了Level2, 及Level3模型。到了九十年代,又加入了著名的BSIM(Berkeley Short-channel IGFET Model)模型。可以这样说,现在所有的...
三、mosfet的沟道长度调制效应实验 二极管的沟道长度调制效应是一个非常重要的理论。他表示在VDS足够大时,沟道内部产生预夹断,此时如果继续增加VDS,Ids会继续增大,而不会减小。但是在这种情况下,mosfet的输出电阻将无法被忽略。根据Shichman–Hodges model给出的模型 当λ为零时,mosfet的输出电阻将会趋近于无穷大。那...
常见类型包括MOSFET的NMOS和PMOS,双极结型晶体管的NPN和PNP,二极管的D等。 PNAME1, PNAME2, ...:这些是针对所建模设备类型的参数名称。 PVAL1, PVAL2, ...:每个参数的对应值。 例如: .MODEL MYMNAME NMOS (LEVEL=1 VTO=2.0 KP=10U W=10U L=1U) 这定义了一个NMOS型号为M1的模型,指定了多个物理参...
spice2中提供了几种mos场效应管模型,并用变量level来指定所用的模型。llevel1 mos1模型 shichman-hodges模型llevel2 mos2模型 二维解析模型llevel3 mos3模型 半经验短沟道模型llevel4 mos4模型 bsim(berkeley short-channel igfe 2、t model)模型mos1模型模型 l mos1模型是mos晶体管的一阶模型,描述了mos管...
前面我们说过SPICE2中加上了MOSFET Level1的模型。等到SPICE3出来的时候,里面已经加入了Level2及Level3模型。到了九十年代,又加入了著名的BSIM(BerkeleyShort-channel IGFET Model)模型。可以这样说,现在所有的foundry用的模型都来自于BSIM家族。为什么在那么多MOSFET模型中,BSIM胜出了呢?
lLEVEL1 MOS1模型 Shichman-Hodges模型 lLEVEL2 MOS2模型 二维解析模型 lLEVEL3 MOS3模型 半经验短沟道模型 lLEVEL4 MOS4模型 BSIM(Berkeley short-chan 2、nel IGFET model)模型 1应用2 MOS1模型模型 l MOS1模型是MOS晶体管的一阶模型,描述了MOS管电 流-电压的平方率特性,它考虑了衬底调制效应和沟道长 ...
这其实就是该MOSFET的模型文件了。接下来从步骤二到步骤四跟第二种方法是完全一样的哦,再来回顾一遍吧ฅʕ•̫͡•ʔฅ 步骤二、为模型配置一个.olb文件 在工程目录下找到lib文件,双击后,系统调用PSpice Model Editor工具,将此model 加入元件库中:File→Export to capture Part library,获得.olb文件...
我们前面讲过如今的mosfet模型非常复杂,要花很多时间去算,那能不能把它简化呢?可以。事实证明对数字电路以及数模混合电路(像PLL,memory,serdes)来说,用表格模型(tablemodel)来代替复杂的方程模型是个不错的选择。通过这些简化,快速仿真可以比原来的SPICE快几十到上百倍,而精度是在SPICE的5-10%之内。像EPIC的...
我们前面讲过如今的mosfet模型非常复杂,要花很多时间去算,那能不能把它简化呢?可以。事实证明对数字电路以及数模混合电路(像PLL,memory,serdes)来说,用表格模型(tablemodel)来代替复杂的方程模型是个不错的选择。通过这些简化,快速仿真可以比原来的SP...
1. MOSFET程序语句 首先需要确定我们最终需要的是与当今市面厂商datasheet中一致的两个重要特征图像:即栅源极和漏源极电压对电流的影响,以江苏长电CJ3400为例: 选择元器件库中NMOS管,此时右击NMOS管发现无法更改任何参数。因为LTSpice对于保证集成型或复杂的电子元件有保护措施,不能够擅自更改元器件的表征属性,而需要...