MOSFET Modeling with SPICE 作者:Daniel P·Foty 出版年:1996-12 页数:653 定价:$ 131.08 ISBN:9780132279352 豆瓣评分 目前无人评价 评价: 写笔记 写书评 加入购书单 分享到 + 加入购书单
SPICE modeling of MOSFETs in deep submicron As the mainstream MOS technology is scaling into nanometer sizes, the development of physical and predictive models for circuit simulation that cover geome... G Angelov,M Hristov - IEEE 被引量: 17发表: 2008年 MOSFET modeling for IC design accurate fo...
M. Kuzumotoand H. Akagi, "Modeling of a Silicon-Carbide MOSFET With Focus on InternalStray Capacitances and Inductances, and Its Verification," in IEEETransactions on Industry Applications, vol. 54, no. 3, pp. 2588-2597, May-June,2018.[...
英飞凌SPICE MOSFET模型 SPICE仿真器是最常用的模拟电路仿真技术，因此，作为事实上的行业标准，很多半导体...
英飞凌SPICE MOSFET模型 SPICE仿真器是最常用的模拟电路仿真技术，因此，作为事实上的行业标准，很多半导体...
A MOSFET SPICE Model With Integrated Electro-Thermal Averaged Modeling, Aging, and Lifetime EstimationSemiconductor device modelingIntegrated circuit modelingMOSFETAgingMathematical modelAnalytical modelsEstimationLifetime estimation of power semiconductor devices have been widely investigated to improve the ...
件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的 精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中各参数的物理 意义及其受热载流子效应影响的物理机理,建立了器件各电学参数在直流应力下的退化模型.最 ...
首先,通過將SPICE子電路導入Simulink,並使用可變步長求解器,求解完整的模擬系統和控制器,來避免緩慢的協同仿真。其次,使用多個精度水平的模型,通過一個簡單的疊代方案,來找到穩態。其結果是端到端設計和仿真速度要比單獨使用SPICE仿真引擎要快。 參考文獻 [1]März, M., Nance, P., “Thermal Modeling of Power...
英飞凌SPICE MOSFET模型 SPICE仿真器是最常用的模拟电路仿真技术,因此,作为事实上的行业标准,很多半导体制造商都为自己的产品开发了SPICE模型,以便为电路设计提供支持。 英飞凌的车规级OptiMOS™功率MOSFET产品组合,树立了20V-300V范围内的质量标杆,提供了多种封装和低至0.55 mΩ的Rds(on)。英飞凌经典的MOSFET SPICE...