Perspectives on Analytical Modeling of Small Geometry MOSFETs in SPICE for Low Voltage/Low Power CMOS Circuit Design The present "state of the art" in analytical MOSFET modeling for SPICE circuit simulation is reviewed, with emphasis on the circuit design usage of these ... D Foty - Kluwer Ac...
作者:Foty, Daniel P. 出版年:1996-12 页数:653 定价:$ 131.08 ISBN:9780132279352 豆瓣评分 目前无人评价 评价: 内容简介· ··· Written by one of the industry's leading experts, MOSFET Modeling with SPICE brings together all the FET models used in mainstream versions of SPICE, providing a co...
Narain Arora Pages 501-535 SPICE Diode and MOSFET Models and Their Parameters Narain Arora Pages 536-562 Statistical Modeling and Worst-Case Design Parameters Narain Arora Pages 563-579 Back Matter Pages 580-609 Download chapter PDF Back to top Authors...
1 Level1 MOSFET model in Spice 图2 改进MOSFET 模型 Fig. 2 Improved model of MOSFET 图3 改进SiC MOSFET 模型 Fig. 3 Improved model of SiC MOSFET 本文经过对 SiC MOSFET 的物理及行为模型大量调研分析后,以 CREE 公司的 SiC MOSFET CMF20120D(1200 V/33 A)为例,根据CREE 公司提供的CMF20120D ...
当当中国进口图书旗舰店在线销售正版《【预订】Mosfet Modeling with Spice: Principles and Practice》。最新《【预订】Mosfet Modeling with Spice: Principles and Practice》简介、书评、试读、价格、图片等相关信息,尽在DangDang.com,网购《【预订】Mosfet Modeling
(东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096) 摘要:为了预测MOSFET器件在热载流子效应影响下的退化情况,建立了一套描述MOSFET器 件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的 精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中各参数的物理 意义...
A MOSFET SPICE Model With Integrated Electro-Thermal Averaged Modeling, Aging, and Lifetime Estimationdoi:10.1109/ACCESS.2020.3047110Tian ChengDylan Dah-Chuan LuYam P. SiwakotiInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
英飞凌SPICE MOSFET模型 SPICE仿真器是最常用的模拟电路仿真技术,因此,作为事实上的行业标准,很多半导体制造商都为自己的产品开发了SPICE模型,以便为电路设计提供支持。 英飞凌的车规级OptiMOS™功率MOSFET产品组合,树立了20V-300V范围内的质量标杆,提供了多种封装和低至0.55 mΩ的Rds(on)。英飞凌经典的MOSFET SPICE...
首先,通過將SPICE子電路導入Simulink,並使用可變步長求解器,求解完整的模擬系統和控制器,來避免緩慢的協同仿真。其次,使用多個精度水平的模型,通過一個簡單的疊代方案,來找到穩態。其結果是端到端設計和仿真速度要比單獨使用SPICE仿真引擎要快。 參考文獻 [1]März, M., Nance, P., “Thermal Modeling of Power...