件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的 精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中各参数的物理 意义及其受热载流子效应影响的物理机理,建立了器件各电学参数在直流应力下的退化模型.最 ...
首先,通过将SPICE子电路导入Simulink,并使用可变步长求解器,求解完整的模拟系统和控制器,来避免缓慢的协同仿真。其次,使用多个具有不同可信度水平的模型,通过一个简单的迭代方案,来找到稳态。其结果是端到端设计和仿真速度要比单独使用SPICE仿真引擎要快。 参考文献 [1]März, M., Nance, P., “Thermal Modeling...
Dobeš, "MOSFET gate dimension dependent drain and source leakage modeling by standard SPICE models," Solid-State Electron., vol. 81, no. 3, pp. 144-150, Mar. 2013.V. Paňko, S. Banáš, D. Prejda and J. Dobeš, "MOSFET gate dimension dependent drain and source leakage modeling...
首先,通過將SPICE子電路導入Simulink,並使用可變步長求解器,求解完整的模擬系統和控制器,來避免緩慢的協同仿真。其次,使用多個精度水平的模型,通過一個簡單的疊代方案,來找到穩態。其結果是端到端設計和仿真速度要比單獨使用SPICE仿真引擎要快。 參考文獻 [1]März, M., Nance, P., “Thermal Modeling of Power...
英飞凌SPICE MOSFET模型 SPICE仿真器是最常用的模拟电路仿真技术，因此，作为事实上的行业标准，很多半导体...
英飞凌SPICE MOSFET模型 SPICE仿真器是最常用的模拟电路仿真技术,因此,作为事实上的行业标准,很多半导体制造商都为自己的产品开发了SPICE模型,以便为电路设计提供支持。 英飞凌的车规级OptiMOS™功率MOSFET产品组合,树立了20V-300V范围内的质量标杆,提供了多种封装和低至0.55 mΩ的Rds(on)。英飞凌经典的MOSFET SPICE...
英飞凌SPICE MOSFET模型 SPICE仿真器是最常用的模拟电路仿真技术,因此,作为事实上的行业标准,很多半导体制造商都为自己的产品开发了SPICE模型,以便为电路设计提供支持。 英飞凌的车规级OptiMOS™功率MOSFET产品组合,树立了20V-300V范围内的质量标杆,提供了多种封装和低至0.55 mΩ的Rds(on)。英飞凌经典的MOSFET SPICE...
PLECS is available in two editions: PLECS Blockset for seamless integration with MATLAB®/Simulink®, and PLECS Standalone, a completely independent product. Plexim's principal activity is the development and marketing of PLECS simulation software including power semiconductor modeling support for ...
* 基金项目:国家重点研发计划(2017YFB1300800);国家自然科学基金(61671172)SiC MOSFET SPICE 模型的建立与仿真分析*叶雪荣 1 , 张开新 1 , 翟国富 1 ,丁新 2(1. 哈尔滨工业大学 电器与电子可靠性研究所,黑龙江 哈尔滨 150001;2. 航天安通电子科技有限公司,天津 300384)摘要:SiC MOSFET 与 Si MOSFET 相比,具有...
SUBCIRCUIT MODEL SCHEMATIC This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate data sheet of the same number for guaranteed specification limits. Document Number: 72509 S-50232Rev. B, 28-Feb...