近日,萃锦半导体推出采用SOT-227封装的1200V SiC MOSFET,专为在高压、高效率和高温环境下工作而设计。 在芯片方面, SiC器件对比Si具有更高耐压、更低损耗、更耐高温等优点。 在封装方面,SOT-227是一种高功率封装,具有出色的热性能和机械稳定性。它通常包括一个金属底板,有助于散热,以及为了便于安装和连接而...
近日,瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点,同时,SOT-227为内绝缘封装,安装简便,也更安全。 产品特点 在芯片方面,碳化硅(SiC)器件对比硅(Si)器件具有更高耐压、更低损耗、更耐高温等优点...
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碳化硅功率MOSFET SiC Power MOSFET 雪崩能量高 Superior avalanche ruggedness 具有低反向恢复电荷的体二极管 Intrinsic diode with low reverse recovery charge 独立的源极引脚,实现更高的效率 Source sensing pin for increased efficiency 通过低损耗提高系统效率高,降低冷却设计难度 ...
BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右,高于市面主流競品,擊穿電壓BV設計余量可以抵禦碳化硅襯底外延材料及晶圓流片製程的擺動,能夠確保大批量製造時的器件可靠性,這是BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET最關鍵的品質. BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高,也增強...
SemiQ 将于2月底在 APEC(应用电力电子会议)上展示其1.2kVSOT-227碳化硅MOSFET功率模块。 这些模块带有或不带有共封装肖特基二极管,额定电流在 30 到 113A 之间,导通电阻分别为 80mΩ 至 20mΩ(见表格)。 SOT-227 封装设计用于螺栓固定到散热器上,并带有用于其电气连接的螺钉端子。
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200VMOSFET,可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC 模块建立在高性能陶瓷的坚实基础上,经过精心设计,可在苛刻的环境下始终如一地运行,实现了异常高的性能水平。改进的功能可实现更简化的设计配置和更高的功率密度...
用于安放测试针脚阵列(8)。本实用新型设计的测试装置，其优化测试框架缩小了测试装置的体积，通过通用的测试板可以应对各类二极管、Si MOSFET、SiC MOSFET、超结MOSFET封装产品进行测试，且无需更改测试板，本实用新型设计的测试装置设有引脚孔免除了手动接入导线的步骤，测试操作方便。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
S1P14R120SSE清纯半导体1200V/14m欧姆siC碳化硅移动MOSFET模块 ¥1.0成交0件 深圳市德瑞泰电子有限公司1年 清纯半导体品牌 DSEI2X101-12A 封装:SOT227 超快恢复整流模块 全新原装 现货 全新原装 IXFN32N120P 32N120 封装:SOT227 功率模块 现货可直拍
SemiQ will be showcasing its 1.2kV SOT-227 silicon carbide mosfet power modules at the Applied Power Electronics Conference (APEC) in February. These modules, available with or without a co-packaged Schottky diode, have current ratings ranging from 30A to 113A and on-resistance ranging from ...