类别 分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET- 制造商 IXYS FET类型 N通道 漏源电压(Vdss) 300V Vgs(最大值) ±30V 功率耗散(最大值) 481W(Tc) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC 品牌 IXYS 触头材料 弹簧黄铜 苏州徳昇锘科技有限公司是一家从事电力半导体
(on) at 200 A ID Type 150 V 1.93 mΩ 300 A at 90 °C Modules - MOSFET Package SOT-227 FEATURES • ID = 400 A, TC = 25 °C • ThunderFET Power MOSFET • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Chassis Mount 封装/ 箱体 SOT-227-4 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 500 V Id-连续漏极电流 48 A Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功...
(1) Type 100 V 1.3 m 330 A at 90 °C Modules - MOSFET Package SOT-227 FEATURES • ID > 420 A, TC = 25 °C • TrenchFET® power MOSFET • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy ...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 ChassisMount 封装/箱体 SOT-227-4 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 100V RdsOn-漏源导通电阻 6.5mOhms Vgs-栅极-源极电压 10V Vgsth-栅源极阈值电压 2V 最小工作温度 -55C 最大工作温度 +150C 通道模式 Enhancement 配置...
类别 分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET- 制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET类型 N通道 漏源电压(Vdss) 600V Vgs(最大值) ±20V 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 底座安装 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC 品牌 IXYS 型号 IXFN32N60 功率耗散(最大值) 520AW(Tc) 苏州徳昇锘科...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Chassis Mount 封装/ 箱体 SOT-227-4 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 500 V Id-连续漏极电流 48 A Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功...