近年来，自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM) 已实现商业化应用。STT-MRAM利用自旋转移矩效应，通过自旋极化电流改变磁性层的磁化方向来完成数据写入。目前，该技术已在智能物联、工业控制和车载电子等民用场景中展现出广阔的应用前景。自旋轨道力矩磁性随机存取存储器(SOT-MRAM, Spin-...
- 工研院与台积电合作开发的 SOT-MRAM 数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 百分之一，可应用于高性能计算、AI 人工智能及车用芯片等。- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的宽度、幅度和重复率，来测试 STT-MRAM 单元的性能。- 在一些新型的...
作为SRAM存储器的有力竞争者,SOT-MRAM不仅可以应用于高性能嵌入式存储和缓存等传统领域,还将在存内计算、神经形态计算、随机计算等新兴领域展现出巨大的潜力。 关于浙江驰拓科技有限公司 浙江驰拓科技有限公司成立于2016年,是中国MRAM新型非易失存储芯片技术研发、生产制造的领军企业,官网显示其已实现多款STT-MRAM产品量...
SOT-MRAM面临的挑战:占位面积、高注入电流、可制造性 由于是非易失性的,SOT-MRAM在高单元密度下可以实现比SRAM低得多的待机功耗。但是由于写入操作需要较大的电流,故动态功耗仍然相对较高。 此外,为了使SOT-MRAM成为嵌入式存储器应用中SRAM的真正竞争对手,需要在提高密度方面进行创新。在固定层和自由层中采用垂直磁...
最近,Imec 公布的超大规模自旋轨道转移 MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能,每比特开关能量低于 100 飞焦耳,耐用性超过 10 的 15 次方。 这些结果使得 SOT-MRAM 成为替代 SRAM 作为高性能计算 (HPC) 应用中最后一级缓存的有希望的候选者。就像 SRAM 一样,它提供高开关速度(在亚纳秒范围内)和无限的耐用...
目前,自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體(SOT-MRAM)元件在末級(last-level)記憶體應用中面臨三個主要問題:可擴展性、動態功耗和製造中對緊湊型無磁場開關解決方案的需求。在IEDM 2022上,imec展示了一次性解決這些問題的SOT-MRAM架構。 SOT-MRAM特性 近年來,晶片產業對SOT-MRAM技術開發越來越感...
SOT-MRAM技术自诞生以来仅约十年,但在器件验证和材料创新方面已取得显著进展。特别是新型无轨道SOT-MRAM器件结构的提出,进一步推动了其向工业化应用迈进。未来,随着材料科学、器件设计和制造技术的持续突破,SOT-MRAM有望逐步实现商用。作为SRAM存储器的有力竞争者,SOT-MRAM不仅...
特别是新型无轨道SOT-MRAM器件结构的提出,进一步推动了其向工业化应用迈进。未来,随着材料科学、器件设计和制造技术的持续突破,SOT-MRAM有望逐步实现商用。作为SRAM存储器的有力竞争者,SOT-MRAM不仅可以应用于高性能嵌入式存储和缓存等传统领域,还将在存内计算、神经形态计算、随机计算等新兴领域展现出巨大的潜力。
传统SOT-MRAM技术面临诸多挑战，包括制造工艺的复杂性、良率问题以及性能瓶颈等。这些难题严重制约了其大规模应用和产业化发展。为了突破这些限制，驰拓科技创新性地提出了无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，这一设计不仅简化了制造工艺，还显著提升了器件良率，为解决传统SOT-MRAM的制造难题提供了全新的思路。这一创新成果...
北京航空航天大学赵巍胜教授/王昭昊副教授团队基于自主的八英寸工艺平台成功研制了与180 nm CMOS工艺集成的128 Kb SOT-MRAM芯片。