- 工研院与台积电合作开发的 SOT-MRAM 数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 百分之一，可应用于高性能计算、AI 人工智能及车用芯片等。- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的宽度、幅度和重复率，来测试 STT-MRAM 单元的性能。- 在一些新型的...
SOT-MRAM面临的挑战:占位面积、高注入电流、可制造性 由于是非易失性的,SOT-MRAM在高单元密度下可以实现比SRAM低得多的待机功耗。但是由于写入操作需要较大的电流,故动态功耗仍然相对较高。 此外,为了使SOT-MRAM成为嵌入式存储器应用中SRAM的真正竞争对手,需要在提高密度方面进行创新。在固定层和自由层中采用垂直磁...
未来，随着材料科学、器件设计和制造技术的持续突破，SOT-MRAM有望逐步实现商用。作为SRAM存储器的有力竞争者，SOT-MRAM不仅可以应用于高性能嵌入式存储和缓存等传统领域，还将在存内计算、神经形态计算、随机计算等新兴领域展现出巨大的潜力。关于浙江驰拓科技有限公司 浙江驰拓科技有限公司成立于2016年，是中国MRAM新型...
因此，相比传统STT材料的MRAM，SOT-MRAM则是一种新型的非易失性内存技术升级版。据台积电官方表示，SOT-MRAM内存搭载创新运算架构，功耗仅为传统STT-MRAM的 1%，相关研发成果领先国际。这一显著的优势使得SOT-MRAM在应对高性能计算（HPC）和AI应用时，能够提供更加稳定、高效的数据存储解决方案。SOT-MRAM会是台积电在A...
目前,自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體(SOT-MRAM)元件在末級(last-level)記憶體應用中面臨三個主要問題:可擴展性、動態功耗和製造中對緊湊型無磁場開關解決方案的需求。在IEDM 2022上,imec展示了一次性解決這些問題的SOT-MRAM架構。 SOT-MRAM特性 近年來,晶片產業對SOT-MRAM技術開發越來越...
最近,Imec 公布的超大规模自旋轨道转移 MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能,每比特开关能量低于 100 飞焦耳,耐用性超过 10 的 15 次方。 这些结果使得 SOT-MRAM 成为替代 SRAM 作为高性能计算 (HPC) 应用中最后一级缓存的有希望的候选者。就像 SRAM 一样,它提供高开关速度(在亚纳秒范围内)和无限的耐用...
作为SRAM存储器的有力竞争者,SOT-MRAM不仅可以应用于高性能嵌入式存储和缓存等传统领域,还将在存内计算、神经形态计算、随机计算等新兴领域展现出巨大的潜力。 关于浙江驰拓科技有限公司 浙江驰拓科技有限公司成立于2016年,是中国MRAM新型非易失存储芯片技术研发、生产制造的领...
SOT-MRAM技术自诞生以来仅约十年,但在器件验证和材料创新方面已取得显著进展。特别是新型无轨道SOT-MRAM器件结构的提出,进一步推动了其向工业化应用迈进。未来,随着材料科学、器件设计和制造技术的持续突破,SOT-MRAM有望逐步实现商用。作为SRAM存储器的有力竞...
作为一种高性能非易失存储技术,SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次的擦写次数。它有望取代CPU各级缓存,解决当前SRAM成本和静态功耗过高等问题。 传统方案在制造工艺上存在挑战,特别是低刻蚀良率限制了其大规模生产。驰拓科技的创新结构有效解决了这一问题,为SOT-MRAM的大规模应用铺平了道路。
这一技术突破，有望为SOT-MRAM的规模化生产与应用开辟新道路。驰拓科技在SOT-MRAM领域取得新突破近期，驰拓科技在国际微电子顶级学术会议IEDM上，首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构。这一创新设计显著简化了SOT-MRAM的工艺流程，降低了制造难度，从而在理论上大大提升了器件良率。该研究成果一经...