SN500(TLC)和Intel 660P(QLC)两款SSD进行比较。在多项读写测试中,SN500在写入速度和稳定性方面表现更佳,而660P在读取QLC中表现较优,但在缓存耗尽后的写入速度大幅下降。此外,存储容量对QLC影响较大,较小容量的QLC SSD寿命明显降低。因此,用户需结合实际需求及预算作出合理选择。 本文通过对SLC、MLC、TLC和QLC的...
总结:TLC在单元空间内提升了容量,但性能和耐久性下降,价格变得比MLC要便宜。目前在消费类产品上,采用TLC是性价比最高的存储方案,性能、价格、容量等多个方面达到了较好的平衡。 QLC NAND QLC NAND为4级单元,每个单元存储4个位,性能和耐久性比TLC要差,代表耐久性方面的P/E周期只有1000个,但价格更便宜。目前已有...
盲目追求SLC/MLC实为资源浪费，TLC已覆盖90%用户需求。QLC则需明确用途：容量优先且写入量可控时，其性价比无可替代。品牌选择同样关键，三星、铠侠等原厂颗粒的纠错算法与主控协同，可显著提升QLC的稳定性。最后提醒：SSD寿命≠使用年限，合理规划数据流动，才是延长存储设备寿命的核心。
QLC 高 更低 更短 极慢 从上表可以看出,不同类型的存储单元具有不同的特点和适用场景。SLC存储单元的读写速度快,寿命长,适合于对速度和稳定性要求较高的应用,如金融交易、军事指挥等;MLC存储单元的价格适中,适合于消费类电子产品的使用,如智能手机、平板电脑等;TLC存储单元的价格更加亲民,适合于大容量数据存储...
据IHS Markit的数据，去年，TLC和MLC是市场的主力，份额占比约56%和43%，今年三季度结束，TLC占比进一步提升至65%。IHS预估，到2018年年底，TLC占比将进一步增加到70%，完全包揽市场。▲QLC闪存，每个Cell单元存储4个bit 然而，闪存颗粒厂东芝和三星都先后宣布进军QLC，4bit/cell设计意味着可以堆积更多的容量，...
但随着科技的不断进步和用户需求的日益增长，一种全新的快闪记忆体晶片QLC已应运而生。相较于传统的SLC、MLC和TLC，QLC以其更大的容量和更亲民的价格，受到了市场的广泛关注。想要深入了解QLC技术的更多细节，不妨继续关注我们的后续报道。NAND快闪记忆体，作为一种比传统硬盘驱动器更为优越的存储装置，采用了非易失...
按速度价格对比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC按容量大小对比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC NAND技术架构 此外，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两类。2D NAND与3D NAND NOR Flash存储器：采用并行的读写方式，可以按字节读写，适合于需要快速读取和执行代码的场景，速度快、价格高，用于...
全称是Trinary-Level Cell,三层式存储单元,是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,由于存储密度较高,所以容量理论上是MLC的1.5倍,成本较低,但是P/E寿命相对要低一些,理论擦写次数在1000-3000次不等,是目前市面上主流的闪存颗粒。 QLC(四层存储单元) 全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的...
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,其有00,01,10,11四个充电至,因此要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命。如今大多数的消费机SSD都是使用的MLC。 TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,每个单元可以存放比MLC多1/2的数据,共八个充电值,也有...